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LSD20N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220F该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: LSD20N60F-VB TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LSD20N60F-VB

LSD20N60F-VB概述


    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    该产品是一种高性能的N沟道超级结功率MOSFET,专为高效率、低损耗的电力转换应用设计。适用于各种服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明设备等领域。尤其适合高强度放电灯(HID)和荧光灯球电路。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 600V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 20A @ 10V VGS, TC = 25°C; 10A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 62A
    - 击穿电压温度系数 (ΔVDS/TJ): -0.75V/°C (参考25°C)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2 - 4V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): < 1μA @ VDS = 520V, VGS = 0V, TJ = 125°C
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.15Ω @ VGS = 10V
    - 总栅极电荷 (Qg): 48 - 96nC @ VGS = 10V, ID = 8A, VDS = 520V
    - 输入电容 (Ciss): 1440pF @ VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz
    - 输出电容 (Coss): 80pF
    - 反向传输电容 (Crss): 4pF
    - 栅源电荷 (Qgs): 11nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 21nC
    - 最大功率耗散 (PD): 205W (峰值) / 35W (持续)
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低损耗:该MOSFET具有低导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷 (Qg),从而显著降低了开关和导通损耗。
    2. 高可靠性:能够承受高达600V的电压,并具备良好的热稳定性,确保长时间运行。
    3. 快速开关:具有很低的输入电容 (Ciss) 和输出电容 (Coss),有利于实现快速开关,提高整体效率。
    4. 超低门极充电 (Qg):有利于降低驱动功耗,简化驱动电路设计。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于服务器和电信电源、SMPS、PFC以及照明系统中。例如,在开关电源中,其高效性能可减少功耗并提高整体效率。在工业应用中,该产品可用于电动机控制和电源变换等场合。
    使用建议:
    1. 在设计电源系统时,应合理选择MOSFET的工作条件以充分利用其性能。
    2. 考虑到其较高的功率密度,需要采用有效的散热措施来保证长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该MOSFET与多数标准电源管理系统兼容。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,包括产品手册、技术支持热线以及在线资源,以帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅源电压超过最大额定值。
    - 解决方案:确保在使用时严格遵守栅源电压的最大额定值。
    2. 问题:功率耗散过大导致过热。
    - 解决方案:使用合适的散热器或进行适当的散热设计。
    3. 问题:无法正常关断。
    - 解决方案:检查并调整驱动信号,确保关断时间足够长。

    总结和推荐


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,特别适合于需要高效率和低损耗的应用场合。其低导通电阻和低栅极电荷使其在各种电力转换应用中表现出色。强烈推荐用于需要高效、可靠的电力转换设备中。
    通过上述详细分析,我们可以看出这款产品具备优异的性能和多种优势,非常值得在相关应用中使用。

LSD20N60F-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LSD20N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LSD20N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LSD20N60F-VB LSD20N60F-VB数据手册

LSD20N60F-VB封装设计

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