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NCE70R360F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=700V;ID =15A;RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在电动汽车控制器中,需要高功率和高效率的开关器件来控制电动机,可以用作电动汽车控制器中的功率开关元件。
供应商型号: NCE70R360F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE70R360F-VB

NCE70R360F-VB概述


    产品简介


    NCE70R360F 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET,由台湾 VBsemi 公司设计制造。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),适用于高效率的开关应用。主要功能包括低开关损耗、低导通损耗以及极低的输入电容(Ciss)。此器件广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、工业设备(如焊接机、感应加热器、电机驱动器、电池充电器、可再生能源系统,特别是太阳能逆变器)等领域。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | VDS | 700 |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 |
    | 持续漏极电流 | ID | 10 |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 286 |
    | 最大功率耗散 | PD | 34 |
    | 结温范围 | TJ, Tstg | -55~+150 |
    | 栅极至源极电容 | Ciss | 1640 |
    | 输出电容 | Coss | 80 |
    | 有效输出电容(时间相关) | Co(tr) | 213 |
    | 总栅极电荷 | Qg | 48~96 |
    | 栅源电荷 | Qgs | 11 |

    产品特点和优势


    NCE70R360F 的独特之处在于其低导通电阻和超低栅极电荷,使其成为高效能功率转换的理想选择。此外,其出色的开关性能和强大的雪崩能力使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。产品采用先进的超级结技术,不仅提高了效率,还减少了开关和导通损耗,同时具备较强的抗冲击能力。这些特性使 NCE70R360F 在工业应用中表现卓越,特别是在需要高可靠性与高效率的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源:用于提供稳定的电源供应,减少热耗散。
    - 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯中作为开关管,实现高效的能量转换。
    - 工业设备:如焊接机和感应加热器中作为主控元件,提供精确控制。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于高功率损耗可能引起温度升高,建议使用良好的散热措施以确保设备正常运行。
    2. 电路布局:在设计电路时,尽量减少寄生电感,这有助于提高开关速度并降低电磁干扰(EMI)。
    3. 匹配负载:根据实际负载需求调整驱动电路,以优化整体效率。

    兼容性和支持


    NCE70R360F 与主流的 PCB 尺寸标准兼容,便于集成到现有的系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品请求、技术支持热线(400-655-8788)以及在线社区论坛,以便用户获取帮助和技术指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路的设计,确保适当的驱动信号 |
    | 温度过高 | 加强散热措施,增加散热片或风扇 |
    | 开关过程中出现异常噪声 | 优化 PCB 布局,减少寄生电感 |

    总结和推荐


    NCE70R360F 是一款集高性能、高可靠性和高效率于一体的 N 沟道超级结功率 MOSFET。它在多种工业和消费级应用中表现出色,尤其适合要求低功耗和高效率的场景。通过其卓越的开关性能和可靠的设计,NCE70R360F 能够满足各种严苛的工作条件。因此,强烈推荐将其用于需要高性能 MOSFET 的应用中。

NCE70R360F-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 340mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 15A
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
栅极电荷 -
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE70R360F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE70R360F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE70R360F-VB NCE70R360F-VB数据手册

NCE70R360F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
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型号 价格(含增值税)
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