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4P04L04-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-40V;ID =-110A;RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=8.28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
供应商型号: 4P04L04-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4P04L04-VB TO263

4P04L04-VB TO263概述


    产品简介


    4P04L04-VB TO263
    4P04L04-VB TO263是一款P沟道40V(漏极-源极)功率MOSFET晶体管。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,提供了出色的性能和可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理等场合。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏极-源极电压 (VDS): -40V
    - 漏极电流 (ID): -110A (TC = 25°C)
    - 源极电流 (IS): -110A (TC = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 281mJ
    - 最大功耗 (PD): 375W (TC = 25°C)
    - 电气特性:
    - 阈值电压 (VGS(th)): -2V 至 -4V
    - 开启电阻 (rDS(on)): 0.0041Ω (VGS = -10V, ID = -20A)
    - 输入电容 (Ciss): 11300pF (VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 1510pF
    - 反向传输电容 (Crss): 1000pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 185nC (VDS = -20V, VGS = -10V, ID = -110A)
    - 工作环境:
    - 最大结温 (TJ): -55°C 至 175°C
    - 工作温度范围 (Tstg): -55°C 至 175°C
    - 焊接温度推荐 (Ts): 260°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,提供更低的开启电阻和更高的耐压能力。
    - 高可靠性和稳定性:适用于恶劣的工作环境,能够承受极端的温度变化。
    - 低功耗:开启电阻低,能够在高频工作条件下实现高效能转换。
    - 高集成度:适合紧凑型设计,减少外围电路需求,简化系统设计。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:利用其低功耗和高效率特性,适用于高频开关电源的设计,提高系统的整体效率。
    - 电机驱动:适用于各种类型的电机控制,如直流电机和步进电机,确保平稳运行和精确控制。
    - 电池管理:用于电池充放电管理,确保电池在各种工况下的安全稳定运行。
    使用建议:
    - 在高频开关电源设计中,注意选择合适的驱动电路,以避免过高的栅极电荷导致的功率损耗。
    - 在电机驱动应用中,应确保MOSFET的工作温度在额定范围内,以保持最佳性能。
    - 在电池管理系统中,定期监测MOSFET的温度,避免长时间高负荷工作导致的过热问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET适用于大多数标准PCB焊接流程,与D2PAK封装兼容。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括应用指南和在线支持平台。用户可通过服务热线(400-655-8788)获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保MOSFET的工作温度不超过最大允许值。

    - 问题二:开启电阻异常增大。
    - 解决方案:检查MOSFET是否受到静电放电损坏,重新更换新的MOSFET并采取适当的ESD防护措施。

    - 问题三:漏极电流不稳定。
    - 解决方案:确认驱动信号波形无误,检查驱动电路是否有故障。

    总结和推荐


    4P04L04-VB TO263是一款高性能的P沟道MOSFET,具有低功耗、高可靠性及宽泛的工作温度范围等特点。它适用于多种工业和消费类电子应用,特别是在需要高频和高效工作的场合。总体而言,该产品在可靠性、性价比方面表现优秀,非常值得推荐使用。

4P04L04-VB TO263参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 110A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ(mΩ)
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4P04L04-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4P04L04-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4P04L04-VB TO263 4P04L04-VB TO263数据手册

4P04L04-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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