处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE65R360K-VB

NCE65R360K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: NCE65R360K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE65R360K-VB

NCE65R360K-VB概述


    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    这种电子元器件是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,主要设计用于高效率的电力转换和控制。它适用于多种应用场景,包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明设备,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。此外,它还广泛应用于工业领域。

    技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 耐压等级 (VDS) | 最大值为 650V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 最大值为 0.42Ω @ 25°C, VGS = 10V |
    | 门极电荷 (Qg) | 最大值为 38nC @ VGS = 10V, ID = 5A |
    | 输入电容 (Ciss) | 最大值为 680pF @ VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 最大值为 132mJ |
    | 最大功耗 (PD) | 最大值为 83W @ TJ = 25°C |
    | 绝对最大额定值(环境温度 TC = 25°C)| VGS = ± 30V, ID = 11A |

    产品特点和优势


    这款N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 具备低FOM(Ron x Qg),低输入电容(Ciss),并能有效减少开关和导通损耗。它的栅极电荷(Qg)非常低,有助于提高系统效率和降低热损耗。同时,其出色的雪崩能量额定值(UIS)使其能在极端条件下稳定运行,适用于需要高可靠性的应用场景。由于其高效能、高可靠性及低损耗等特点,这款产品在各类电力转换和控制应用中具有显著的优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应系统:通过减少功耗和提高效率,延长系统的使用寿命。
    - 工业照明设备:如高强度放电灯和荧光灯镇流器,确保灯光效果稳定且能耗低。
    - 开关模式电源(SMPS)和功率因数校正电源(PFC):提升整体效率,减少能量损失,适用于需要高精度控制的场合。
    使用建议
    - 在高压应用中,应确保适当的散热措施以避免过热。
    - 在高频应用中,要选择合适的驱动器来减少噪声干扰。
    - 确保电路板布局合理,减少寄生电感和漏电现象。

    兼容性和支持


    此产品与其他标准封装的电子元器件具备良好的兼容性,适用于多种电路设计。供应商提供了详尽的技术支持,包括详细的安装指南和故障排查文档,以及专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热系统是否正常工作;增加散热片。 |
    | 功耗过高 | 检查电路设计,调整负载和电压设置。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动器是否正确配置;确认信号完整性。 |

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款性能卓越的电子元器件,尤其适合于高效率的电力转换和控制应用。它的低FOM、低输入电容和优秀的雪崩能量额定值使其在各种应用场景中表现出色。鉴于其高可靠性、低损耗和广泛的应用领域,我们强烈推荐这一产品给需要高效能电力管理的客户。

NCE65R360K-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 11A
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE65R360K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE65R360K-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE65R360K-VB NCE65R360K-VB数据手册

NCE65R360K-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 48.59
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336