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FP17N50L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: FP17N50L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FP17N50L-VB

FP17N50L-VB概述

    FP17N50L-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FP17N50L-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-通道超级结功率MOSFET,具有低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速电力开关等应用场合。它的高耐压能力和良好的电气特性使其在硬开关和高频电路中表现优异。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 500 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 3.0 5.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS | VDS = 500 V, VGS = 0 V 50 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 28 A 0.080 Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz 8310 pF |
    | 输出电容 | Coss 960 pF |
    | 门极电荷 | Qg | VGS = 10 V, ID = 47 A, VDS = 400 V 350 nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs 85 nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd 180 nC |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS 910 mJ |
    | 最大重复雪崩电流 | IAR 40 A |
    | 最大重复雪崩能量 | EAR 51 mJ |
    | 最大结到壳热阻 | RthJA 40 °C/W |
    | 最大结到散热器热阻 | RthCS 0.24 °C/W |
    | 最大结到管壳热阻 | RthJC 0.23 °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:Qg仅为350nC,降低驱动需求,提高效率。
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。
    - 优越的电气特性:全面的电容、雪崩电压和电流特征。
    - 低导通电阻:RDS(on)为0.080Ω,适合高频应用。
    - RoHS合规:符合RoHS指令2002/95/EC,环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关模式电源(SMPS):利用其低栅极电荷和低导通电阻特性,实现高效的功率转换。
    - 不间断电源(UPS):提供高可靠性,在严苛环境下稳定工作。
    - 高频率电路:低导通电阻和高耐压确保其在高频应用中的稳定性能。

    5. 兼容性和支持


    FP17N50L-VB具有广泛的应用兼容性,适用于各种开关电源设计。VBsemi公司提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够获得最佳的使用体验和售后保障。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:FP17N50L-VB的工作温度范围是多少?
    - A:工作温度范围为-55°C至+150°C。
    - Q:FP17N50L-VB的最大重复雪崩电流是多少?
    - A:最大重复雪崩电流为40A。
    - Q:如何测试FP17N50L-VB的栅极电荷?
    - A:参考图13b中的测试电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FP17N50L-VB凭借其优良的电气特性和广泛的适用范围,是一款出色的N-通道超级结功率MOSFET。它的低栅极电荷和低导通电阻特性使其在多种应用中表现出色。对于需要高性能和高可靠性的工程师和设计师来说,FP17N50L-VB无疑是一个值得推荐的产品。

FP17N50L-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FP17N50L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FP17N50L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FP17N50L-VB FP17N50L-VB数据手册

FP17N50L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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