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RU6H2L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V)封装:TO220
供应商型号: RU6H2L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RU6H2L-VB

RU6H2L-VB概述


    产品简介


    RU6H2L是一款650V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力转换和控制应用。其主要功能是用于电源管理、电机驱动、照明系统和其他需要高效能开关控制的场合。这款MOSFET具备高可靠性、低损耗和优异的动态性能,特别适合于工业自动化、通信设备和新能源汽车等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 650 | - | V |
    | 栅源电压 | ±20 ±30 | V |
    | 连续漏极电流 | - | 1.28 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | 8 | - | A |
    | 一次性脉冲雪崩能量 | - | 165 | - | mJ |
    | 反复雪崩电流 | - | 2 | - | A |
    | 反复雪崩能量 | - | 6 | - | mJ |
    | 最大功耗 | - | 45 | - | W |
    | 峰值二极管恢复dV/dt | - | 2.8 | - | V/ns|
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 | - | 150 | °C |
    | 顶部散热片高度 | 1.6 | - | - | mm |

    产品特点和优势


    RU6H2L具有以下显著特点和优势:
    1. 低栅极电荷:低栅极电荷意味着驱动要求简单,减少了电路复杂度和成本。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性:这使得MOSFET能够在高压环境中稳定运行,提高了系统的可靠性和耐用性。
    3. 全面的电容和雪崩特性:该器件的电容和雪崩电压及电流经过全面测试,确保在不同条件下的稳定性能。
    4. 符合RoHS指令:满足欧盟关于限制有害物质的环保标准,适用于环保要求高的应用领域。

    应用案例和使用建议


    RU6H2L广泛应用于各类电源管理和控制应用中,例如:
    - 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC转换器,用于高效能的电力转换。
    - 电机驱动:应用于电动机的高效驱动,提高能源利用率。
    - 照明系统:如LED驱动器,确保稳定的电源供应和较长寿命。
    使用建议:
    1. 散热管理:确保适当的散热措施,以防止过热损坏。
    2. 布局设计:在设计电路板时,注意减少寄生电感,使用接地平面以提高性能。
    3. 应用参数验证:根据具体应用要求验证MOSFET的工作参数,确保在指定条件下稳定运行。

    兼容性和支持


    RU6H2L与许多标准电路和设备兼容,可用于多种电源管理系统。制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、应用笔记和技术文档,确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定合适的驱动电阻?
    - 答:参考数据表中的栅极电荷曲线,选择一个合适的栅极电阻值来控制驱动速度,从而避免因驱动不足导致的高温。
    2. 问:如何处理过温保护?
    - 答:确保散热系统正常工作,并在设计时考虑最大功耗。如果发生过温,立即切断电源并查找原因。

    总结和推荐


    RU6H2L以其低功耗、高可靠性和优异的电气特性,在电源管理和控制应用中表现出色。通过上述技术参数、特点和应用实例可以看出,该MOSFET是一款高效能、易于集成的产品。因此,对于需要高效、稳定电力转换的应用场合,强烈推荐使用RU6H2L。

RU6H2L-VB参数

参数
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.12Ω(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RU6H2L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RU6H2L-VB数据手册

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RU6H2L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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