处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFR44N50Q3-VB

IXFR44N50Q3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFR44N50Q3-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR44N50Q3-VB

IXFR44N50Q3-VB概述

    IXFR44N50Q3-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFR44N50Q3-VB 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源、高速功率切换和硬开关及高频电路等应用。它具有低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),使其在驱动要求和工作稳定性方面表现出色。

    2. 技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):500V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V时0.080Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg(Max)):350nC
    - 栅源电荷 (Qgs):85nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):180nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):180A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):910mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):40A
    - 重复雪崩能量 (EAR):51mJ
    - 最大功耗 (PD):25℃时530W
    - 结到壳热阻 (RthJC):0.23°C/W
    - 最大结温 (TJ):150℃

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低Qg使得驱动要求简单,易于控制。
    - 增强型栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性: 提高了器件的可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流: 确保稳定运行。
    - 低导通电阻: 高效率运行。
    - 符合RoHS指令: 环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关模式电源 (SMPS): 在电源设计中提供高效能的功率转换。
    - 不间断电源: 保证电源的稳定性和可靠性。
    - 高频率电路: 适合高频工作的场景,例如工业自动化设备。
    - 硬开关电路: 由于其出色的雪崩耐受能力,适用于硬开关条件。
    使用建议:
    - 在设计高频率电路时,注意栅极驱动电路的优化以减少损耗。
    - 在高温环境下工作时,要确保散热系统的有效性。

    5. 兼容性和支持


    IXFR44N50Q3-VB与大多数常见的电源设计平台兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档和客户支持热线,以便用户解决问题并获得最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 使用有效的散热系统,如散热片或风扇,确保器件在安全温度范围内运行。

    - 问题: 门极电压波动大。
    - 解决方案: 使用稳定的电源供电,并确保门极驱动电路的正确配置。

    7. 总结和推荐


    IXFR44N50Q3-VB凭借其出色的性能和可靠性,在多种应用中表现出色。特别是对于需要高效率、高频率和严苛工作环境的应用,这款产品是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。
    希望这篇概述能够帮助您更好地了解IXFR44N50Q3-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 的性能特点及其应用价值。

IXFR44N50Q3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR44N50Q3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR44N50Q3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFR44N50Q3-VB IXFR44N50Q3-VB数据手册

IXFR44N50Q3-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 62.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336