处理中...

首页  >  产品百科  >  K3799_06-VB

K3799_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: K3799_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3799_06-VB

K3799_06-VB概述

    产品概述

    产品简介


    本文将详细介绍一款N沟道超级结功率MOSFET(场效应晶体管)——型号为K379906-VB。这款MOSFET专为高效率和高频应用设计,具有动态dV/dt耐受能力、重复雪崩测试评级以及快速开关功能。它广泛应用于电源转换、电机驱动和汽车电子等领域。

    技术参数


    该MOSFET的主要技术参数如下:
    - 漏源电压 (VDS):900V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V栅极电压下的最大值为0.95Ω
    - 总电荷 (Qg):200nC
    - 输入电容 (Ciss):3100pF
    - 输出电容 (Coss):800pF
    - 反向传输电容 (Crss):490pF
    - 最大功率耗散 (PD):65W
    - 最高工作温度 (TJ):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 动态dV/dt耐受能力:能够承受较高的瞬态电压变化率,适合高频应用。
    - 重复雪崩测试评级:具备优良的可靠性,适用于重负载应用。
    - 快速开关:低漏源导通电阻,有助于提高电路效率和减少功耗。
    - 简单驱动要求:易于并联使用,降低系统复杂度。
    - 符合RoHS标准:环保无铅,满足国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    此款MOSFET可以用于各种电源转换和驱动应用中。例如,在电动汽车的逆变器中,它能够提供稳定的电力输出和高效的工作状态。此外,它也常用于工业电机驱动系统中,确保高效的电机控制和能量转换。
    使用建议
    为了最大限度地发挥该MOSFET的优势,需要注意以下几点:
    - 确保散热良好,避免因过热而导致性能下降。
    - 合理选择驱动电路,以充分发挥其快速开关的特性。
    - 在设计时考虑布局的合理性,尽量减小寄生电感,从而减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    该MOSFET与其他常见的电子元件和设备兼容良好,可广泛应用于各类工业和消费电子产品中。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛、电话支持和技术培训等,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过热 | 确保良好的散热设计,如增加散热片或采用主动冷却装置。 |
    | 高频操作时噪音较大 | 优化PCB布局,尽量减少寄生电感和寄生电容的影响。 |
    | 开关速度慢 | 检查驱动电路,确认驱动电压和电阻值是否合理。 |

    总结和推荐


    总的来说,这款N沟道超级结功率MOSFET具有卓越的性能和可靠性,特别适用于高功率和高频应用。其优秀的动态dV/dt耐受能力和快速开关特性使其在多种应用场景中表现出色。因此,对于需要高效和可靠的电源管理解决方案的用户来说,推荐选用该产品。如果您有任何疑问或需求进一步的技术支持,可随时联系我们的服务热线400-655-8788,我们将竭诚为您服务。

K3799_06-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3799_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3799_06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3799_06-VB K3799_06-VB数据手册

K3799_06-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 77.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336