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FQD4P25TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-250V;ID =-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
供应商型号: FQD4P25TM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD4P25TM-VB

FQD4P25TM-VB概述

    FQD4P25TM Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD4P25TM 是一款先进的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Power MOSFET),适用于多种高要求应用场合。这款MOSFET采用先进的工艺技术,具有动态dv/dt额定值、高达150℃的工作温度、快速开关特性及全雪崩耐受能力。由于其卓越的性能,该产品广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | -250 | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | -6.0 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -16 | A |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 85 | W |
    | 击穿电压 | VDS | - | - | -250 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | -250 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | 1.0 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | - | 680 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 170 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | - | 40 | pF |
    | 门极总电荷 | Qg | - | - | 38 | nC |
    | 门极-源极电荷 | QGS | - | - | 8.0 | nC |
    | 门极-漏极电荷 | QGD | - | - | 18 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 先进工艺技术:确保高效的电性能和耐用性。
    - 动态dv/dt额定值:增强了对瞬态电压的承受能力。
    - 高速开关:能够适应高频应用需求。
    - 全雪崩耐受能力:保证在极端条件下可靠运行。
    - 宽温范围:能够在-55到+150℃的环境下稳定工作。
    - 低功耗设计:提供更高的效率和更长的使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:适用于各种直流电源转换和管理,如开关电源模块。
    - 电机驱动:可以高效控制电动机的速度和扭矩。
    - 通信设备:用于电源管理和信号调理。

    使用建议:对于需要快速开关的应用,应注意门极驱动的设计以优化性能。此外,在高温环境下使用时,需注意散热问题,以避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FQD4P25TM 设计为与标准TO-252封装兼容,适合现有电路板设计。
    - 支持与维护:制造商提供详尽的技术支持和客户服务,确保用户能够充分利用产品功能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极驱动电路并优化电容和电阻值。 |
    | 热稳定性差 | 使用散热片或散热膏提高散热效果。 |
    | 寿命短 | 确保工作条件符合规范,避免超载或过高温度使用。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQD4P25TM 功率 MOSFET 在高性能和可靠性方面表现出色,适用于多种严苛的应用环境。其高效率、快速开关能力和广泛的温度范围使其成为许多关键应用的理想选择。强烈推荐用于需要高性能、高可靠性的场合。对于需要进一步技术支持的用户,可联系我们的客户服务热线 400-655-8788 获取帮助。

FQD4P25TM-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
FET类型 2个P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD4P25TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD4P25TM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD4P25TM-VB FQD4P25TM-VB数据手册

FQD4P25TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
2500+ ¥ 3.6425
库存: 400000
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