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K20J50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: K20J50D-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20J50D-VB

K20J50D-VB概述

    K20J50D-VB 600V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K20J50D-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的600V N-通道超级结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备极低的导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,广泛应用于电信、照明、消费电子、工业控制、可再生能源和开关模式电源等领域。

    技术参数


    以下是K20J50D-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 600V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏电流 (ID): 13A (TJ=25°C, TC=100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 53A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 367mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 208W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 输出电容 (Coss): 105pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 71-106nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 33nC

    产品特点和优势


    K20J50D-VB 具有以下几个显著特点和优势:
    - 低开关损耗: 由于其极低的反向恢复时间和电荷,K20J50D-VB 在高频开关应用中表现出色。
    - 低输入电容: Ciss值为2322pF,有助于减少开关过程中因寄生电容引起的损耗。
    - 高可靠性: 单脉冲雪崩能量高达367mJ,确保在极端工作条件下具有很高的可靠性。
    - 优异的热管理: 最大结点到外壳热阻为0.5°C/W,保证了出色的散热性能。

    应用案例和使用建议


    K20J50D-VB 可以应用于多种领域,包括:
    - 电信设备: 如服务器和电信电源供应系统,这些设备通常需要高可靠性和高效能的电源转换解决方案。
    - 照明系统: 如高强度放电灯(HID)和荧光灯,这类灯具对电源开关特性有较高要求。
    - 消费电子产品: 如ATX电源,K20J50D-VB 的高性能使其成为家用电器的理想选择。
    - 工业控制: 如焊接设备和电池充电器,这些设备对电流控制精度有严格要求。
    - 可再生能源系统: 如太阳能逆变器,需要处理大电流并保证高效能。
    使用建议:
    - 散热设计: 建议采用良好的散热措施,如增加散热片或风扇,确保结温不超过150°C。
    - 布局优化: 尽量减少PCB上的寄生电感和杂散电容,提高整体系统的稳定性和效率。

    兼容性和支持


    K20J50D-VB 兼容多种标准接口和协议,易于集成到现有系统中。制造商提供详细的技术支持文档和客户支持服务,帮助用户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下频繁出现过热保护。
    - 解决办法: 检查散热系统是否有效,增加散热片或使用更好的散热材料。
    - 问题2: 开关过程中噪音较大。
    - 解决办法: 优化电路板布局,减少杂散电感和电容的影响,或者更换更高性能的磁芯材料。
    - 问题3: 雪崩现象导致损坏。
    - 解决办法: 确保负载端有足够的缓冲电路,并检查驱动电路是否正确配置。

    总结和推荐


    K20J50D-VB 以其卓越的性能和可靠性,成为了多个领域的理想选择。特别是在高要求的应用中,如高频开关电源、工业控制系统和可再生能源系统中,它表现出色。综合考虑其高效能和广泛的适用范围,我们强烈推荐K20J50D-VB作为关键电源转换组件。
    以上是对K20J50D-VB的技术手册进行的全面解析,希望能为您的选择提供有价值的参考。

K20J50D-VB参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K20J50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20J50D-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K20J50D-VB K20J50D-VB数据手册

K20J50D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 14.3519
100+ ¥ 13.2888
500+ ¥ 12.2257
900+ ¥ 11.6941
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