处理中...

首页  >  产品百科  >  J664-VB

J664-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-100V;ID =-37A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;适用于电源、电动车辆和工业控制等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
供应商型号: J664-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J664-VB

J664-VB概述

    J664-VB P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    J664-VB 是一种由 VBsemi 公司生产的 P 沟道沟槽场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),它适用于多种电子设备。该型号主要用于开关电源、电机驱动和其他需要高可靠性和高效率的应用场景。J664-VB 在高电压环境下表现尤为出色,适用于工业控制、电源管理等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | - 100 V |
    | 漏源通态电阻 (RDS(on)) | 0.040 (VGS=-10V, ID=-9.2A) | 0.050 (VGS=-4.5V, ID=-7.7A) Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 54 | 81 nC |
    | 峰值漏极电流 (IDM) -150 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS)| 61 mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:采用沟槽结构,确保在高压环境下的稳定运行。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.040Ω(VGS=-10V, ID=-9.2A),能够有效降低损耗,提高能效。
    - 高雪崩能力:可承受高达 61mJ 的单脉冲雪崩能量,增强系统可靠性。
    - 快速开关性能:优秀的动态参数使其在高频应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于电机驱动、开关电源、工业控制等场合。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时需注意散热问题,避免过热导致器件损坏。
    - 确保栅极电压符合规定范围,避免超出额定值导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准 D2PAK 封装,便于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和技术支持,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 使用散热片或散热器以改善散热效果。 |
    | 开关速度慢 | 调整电路参数,确保栅极驱动能力足够。 |
    | 导通电阻过高 | 确保 VGS 大于阈值电压,检查电路连接是否正确。 |

    7. 总结和推荐


    J664-VB P-Channel MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具有出色的导通电阻、快速的开关性能和良好的雪崩能力。它的主要优点在于高可靠性、低损耗和广泛的适用范围。因此,强烈推荐将其用于需要高可靠性和高效率的工业应用中。如果您需要进一步了解或技术支持,请联系 VBsemi 官方客服。

J664-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 37A
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J664-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J664-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J664-VB J664-VB数据手册

J664-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504