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FDT3N40-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在汽车电子系统中,如车载电源管理、车灯控制等方面有应用。
供应商型号: FDT3N40-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDT3N40-VB

FDT3N40-VB概述

    FDT3N40 Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDT3N40是一款由VBsemi推出的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。其主要特点是低栅极电荷(Qg),简化了驱动要求;改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性;全面表征的电容和雪崩电压及电流。该产品完全符合RoHS指令2002/95/EC,适用于多种应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS=10V时为2.1Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg):48nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):19nC
    - 配置:单个
    - 持续漏极电流 (ID):VGS=10V时为3.0A(TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):16A
    - 最大功耗 (PD):60W(TC=25°C)
    - 最大雪崩能量 (EAS):325mJ
    - 最大雪崩电流 (IAR):4A
    - 最大雪崩能量 (EAR):6mJ
    - 最大工作温度 (TJ, Tstg):-55°C到+150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化驱动电路设计。
    - 增强的坚固性:提高了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。
    - 全面表征:电容和雪崩电压及电流都经过了全面表征。
    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    FDT3N40适用于高压环境下的开关电源、电机驱动、逆变器等应用。在设计驱动电路时,需要考虑以下几点:
    - 使用低杂散电感的电路布局,确保低泄漏电感。
    - 使用接地平面以提高稳定性。
    - 根据应用场景调整栅极电阻(RG)以控制dV/dt。

    5. 兼容性和支持


    该产品与大多数标准驱动电路兼容。制造商提供详细的安装扭矩指南,并建议峰值焊接温度不超过300°C(10秒)。此外,制造商还提供了丰富的技术支持,包括热阻率参数和详细的测试电路图。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:栅极电压超过±30V会损坏器件吗?
    - A:是的,栅极电压应保持在±30V以内。
    - Q:如何避免过高的功耗导致的热问题?
    - A:使用适当的散热片和优化电路布局,确保功耗在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    FDT3N40是一款具有出色性能和坚固性的功率MOSFET。其低栅极电荷和全面表征的电容特性使其成为高可靠性应用的理想选择。强烈推荐使用该产品在高压环境下进行设计和制造。

FDT3N40-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDT3N40-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDT3N40-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDT3N40-VB FDT3N40-VB数据手册

FDT3N40-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
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