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H5N3004P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种需要高功率和精确控制的工业驱动系统,如大型机械设备的电机控制。
供应商型号: H5N3004P-VB TO-3PN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H5N3004P-VB

H5N3004P-VB概述

    H5N3004P-VB N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    H5N3004P-VB 是一款 N-Channel 600V 超级结功率 MOSFET(Super Junction Power MOSFET),专为高效率、低损耗的应用而设计。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(如高强度放电灯和荧光灯)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统,特别是太阳能光伏逆变器)。

    2. 技术参数


    以下是 H5N3004P-VB 的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 600V
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\) (VGS = 10V, TJ = 25°C): 0.06Ω
    - 最大总栅极电荷 \(Qg\): 273nC
    - 栅极-源极电荷 \(Q{gs}\): 46nC
    - 栅极-漏极电荷 \(Q{gd}\): 79nC
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 1410mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\): 415W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±30V
    - 连续漏电流 (TJ = 150°C): 30A (TC = 100°C)
    - 最大结温及存储温度范围 \(TJ, T{stg}\): -55°C 到 +150°C
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 40°C/W
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 3°C/W

    3. 产品特点和优势


    H5N3004P-VB 的显著特点包括:
    - 低损耗:具有低栅极电荷和低输入电容(Ciss),减少了开关和导通损耗。
    - 高速响应:超低栅极电荷 (Qg),提高了切换速度。
    - 高可靠性:可承受重复的雪崩能量,确保在极端条件下的稳定性。
    - 多功能性:适用于多种工业和消费类应用,具有广泛的温度和电压范围。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源:在高密度数据中心和通信设备中,提供高效稳定的电力转换。
    - 开关模式电源 (SMPS):用于便携式设备和消费电子产品中,以提高能效。
    - 照明系统:应用于高强度放电灯和荧光灯系统,提供更长寿命和更好的光质。
    - 工业应用:广泛应用于焊接、感应加热、电机驱动等领域,提高生产效率。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高功率损耗,需要有效的散热措施,例如使用大面积散热片或液冷系统。
    - 电路布局:减少寄生电感,使用接地平面,以提高系统的稳定性和可靠性。
    - 测试条件:根据数据手册中的测试条件进行操作,确保系统正常运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:H5N3004P-VB 具有标准 TO-3P 封装,易于与其他器件集成,适用于现有的电路板设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,包括使用手册、技术指南和样品申请。如有问题,可以联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻高 | 确保栅极电压达到或超过阈值电压,检查是否有接触不良或内部损坏。 |
    | 温度过高 | 改善散热系统,检查并更换不适当的散热片。 |
    | 开关速度慢 | 减少寄生电感,增加栅极驱动强度。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,H5N3004P-VB N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 在多个关键参数上表现出色,尤其是在低损耗、高可靠性方面。它适用于广泛的工业和消费应用,特别是在需要高效能和高稳定性的场合。强烈推荐使用 H5N3004P-VB 来实现高性能和高可靠性的电力管理系统。

H5N3004P-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 47A
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

H5N3004P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H5N3004P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 H5N3004P-VB H5N3004P-VB数据手册

H5N3004P-VB封装设计

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