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VBL18R15S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=800V;ID =15A;RDS(ON)=380mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于电动车充电设备中的功率开关模块,实现对电动车进行高效快速充电,满足电动车市场的需求。
供应商型号: VBL18R15S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL18R15S

VBL18R15S概述

    VBL18R15S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    VBL18R15S是一款N沟道800V超级结功率MOSFET,专为高效能电源转换设计。它具备低开关损耗和导通损耗的特点,适用于各种高效率应用,如服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及高强度放电(HID)照明和荧光灯镇流器照明。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | - | 800 V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 2 - 4 V | - |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 0.38 Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | 96 nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | - | 11 nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | - | 21 nC |
    | 连续漏极电流 (ID) | 15 A | - |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | - | 46 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | - | 297 mJ |
    | 最大功耗 (PD) | - | 208 W |

    产品特点和优势


    VBL18R15S具有多项显著的技术优势,使其成为高性能电源转换的理想选择:
    - 低FOM (Ron x Qg):低导通电阻与总栅极电荷的乘积,减少开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减少栅极充电时间,加快开关速度。
    - 降低开关和导通损耗:优化的设计使得在开关过程中损耗更小。
    - 超低栅极电荷 (Qg):进一步减少开关损耗,提高效率。
    - 雪崩耐受能力 (UIS):增强的耐用性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBL18R15S在多个应用场景中表现卓越:
    - 服务器和电信电源供应:这些系统需要高度可靠和高效的电源转换,VBL18R15S的低损耗特性使其成为理想选择。
    - 开关模式电源供应 (SMPS):在高频应用中,其低电容和低电荷特性可以提高效率。
    - 功率因数校正 (PFC):其低FOM和低损耗特性能够显著提升PFC的效率。
    - 高强度放电 (HID) 和荧光灯镇流器照明:其高耐压能力和低损耗特性有助于提高照明系统的整体性能。
    使用建议:
    - 确保散热设计充分,以避免过热。
    - 在应用电路中合理布置低寄生电感路径,以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    VBL18R15S与其同类产品和设备兼容性良好,具体兼容性信息可参考制造商的文档。厂商提供了详尽的支持和维护信息,包括技术咨询和故障排查指导,确保客户能够充分利用产品的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中损耗较高
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇以改善散热效果。
    2. 问题: 电流不稳定
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确保接地线稳固无误。
    3. 问题: 热稳定性差
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如增加散热器或采用液冷方案。

    总结和推荐


    总体来看,VBL18R15S N-Channel 800V超级结功率MOSFET是一款高性价比且性能优异的产品,特别适合于高效率电源转换应用。其低损耗特性、高可靠性以及广泛的应用范围,使其在市场上具有较强的竞争力。因此,我们强烈推荐此产品用于各类电源转换项目中。
    更多详细信息和购买咨询请联系台湾VBsemi公司客户服务热线:400-655-8788。

VBL18R15S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 800V
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 -
通道数量 1
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL18R15S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL18R15S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL18R15S VBL18R15S数据手册

VBL18R15S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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