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J186-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT89;P沟道;VDS=-200V;ID =-1.8A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=900mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3V;可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
供应商型号: J186-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J186-VB

J186-VB概述

    # P-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册详细介绍了一款P-Channel 200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)——型号为J186。这款MOSFET具有低导通电阻、超小型设计等特点,主要应用于DC/DC电源转换器中的主动钳位电路。通过其卓越的性能,该产品在电源管理领域展现出了强大的潜力。

    技术参数


    额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | -200 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -1.80 / -1.64 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -5.5 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IA | 4.0 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1.2 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 1.45 / 0.95 | W |
    热阻
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 最大结至环境热阻 | RthJA | 75 / 100 | °C/W |
    | 最大结至引脚(漏极)热阻 | RthJF | 40 / 50 | °C/W |
    典型特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 饱和导通电阻 | RDS(on) | 0.8 / 0.9 | Ω |
    | 开启门限电压 | VGS(th) | -2.5 / -4.5 | V |
    | 总栅极电荷 | Qg | 8.0 / 12.0 | nC |

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻:RDS(on) 在VGS=-10V时仅为0.8Ω,在VGS=-6V时为0.9Ω,显著提高了能效。
    2. 小型化设计:采用TrenchFET技术,尺寸紧凑,节省空间。
    3. 高可靠性:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料。
    4. 出色的热性能:低热阻确保长时间稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC电源转换器中的主动钳位电路:适用于各种高压直流电源系统,用于实现高效能量传输和稳压控制。
    使用建议
    - 散热管理:由于最大功耗较高,建议使用散热片或散热板进行有效的热管理,以避免过热。
    - 电路布局优化:考虑在电路板上放置接近开关节点的位置以减少寄生电感和提高效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与大多数常见的电源管理系统兼容,特别是需要高压和高效率的应用场合。
    支持
    - 厂商提供详尽的技术文档和用户手册,以及技术支持热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 导通电阻偏高
    - 解决方法:确保驱动电压VGS在额定范围内,同时检查是否存在不良接触点。

    2. 温度过高导致损坏
    - 解决方法:增加散热措施,如安装散热器或采用强制风冷系统。

    总结和推荐


    综合评估
    J186 P-Channel MOSFET以其超低的导通电阻、小尺寸和高可靠性成为一款优秀的电源管理器件。它特别适合于要求高效率和高可靠性的应用场合。
    推荐
    鉴于其优异的性能和广泛的应用前景,我们强烈推荐该产品在电源管理项目中使用。对于任何对高效电源设计感兴趣的研发团队来说,这都是一个不容错过的选择。

J186-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 1.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
长*宽*高 4.2mm*4.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J186-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J186-VB数据手册

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J186-VB封装设计

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