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57N65M5-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 57N65M5-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 57N65M5-VB TO247

57N65M5-VB TO247概述


    产品简介


    57N65M5-VB TO247 是一款高性能的超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于各类电源转换和驱动应用。它属于N沟道结构,能够在高达650V的电压下工作。这种MOSFET具有极低的导通电阻(RDS(on))和超低的门极电荷(Qg),非常适合用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)、高亮度放电灯照明、荧光灯镇流器、焊接设备、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源应用如太阳能逆变器。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 700V(在最高结温下)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 在25°C时为0.06Ω(当VGS = 10V时)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为273nC
    - 门极-源极电容 (Ciss): 5682pF
    - 输出电容 (Coss): 251pF
    - 反向转移电容 (Crss): 1pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1410mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 415W
    - 结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C
    - 漏源电压上升斜率 (dV/dt): 37V/ns
    - 门源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏电流 (ID): 当TJ=150°C时为30A
    - 门极电阻 (Rg): 0.64Ω(在1MHz时开漏)

    产品特点和优势


    - 低优值系数 (FOM): Ron x Qg非常低,使得功耗和热损耗更小。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少了开关损耗,提高了效率。
    - 减少的开关和导通损耗: 这是由于超低的门极电荷(Qg)。
    - 雪崩能量额定值 (UIS): 具备良好的安全操作区域(SOA)。
    - 适合宽泛的应用: 适用于多种高压电源转换应用,如服务器、通信设备、工业设备和可再生能源系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源: 在高可靠性要求的应用中表现出色。
    - 开关模式电源供应器 (SMPS): 高效稳定,可以提供稳定的直流输出。
    - 太阳能逆变器: 能够高效地进行电压转换,降低能耗。
    使用建议:
    - 合理设计电路布局: 尽量减小寄生电感,使用接地平面以减少信号干扰。
    - 温度管理: 注意散热,避免结温过高导致器件损坏。
    - 负载匹配: 确保负载与电源能够良好匹配,避免不必要的电压波动。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品可与各种标准的电子元器件和设备兼容。
    - 技术支持: 厂商提供了详细的技术文档和支持服务,包括详细的参数规格、热阻性能和测试电路图。此外,还提供了相关的软件工具以帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关频率过低,如何提高?
    - A: 检查并确保电路布局合理,减小寄生电感,优化门极驱动电路。

    - Q: 温度过高,如何解决?
    - A: 使用合适的散热片或者风扇进行散热,确保良好的通风条件,避免长时间高温运行。
    - Q: 输出电流不稳定,如何处理?
    - A: 检查负载是否匹配,确保输入电压稳定,检查电路连接是否良好。

    总结和推荐


    57N65M5-VB TO247 是一款出色的N沟道超级结功率MOSFET,具备卓越的性能和广泛的适用性。它的低功耗、高效率和可靠的耐久性使其成为众多高压电源转换应用的理想选择。我们强烈推荐此款产品给需要高性能、高可靠性的客户。

57N65M5-VB TO247参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 47A
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

57N65M5-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

57N65M5-VB TO247数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 57N65M5-VB TO247 57N65M5-VB TO247数据手册

57N65M5-VB TO247封装设计

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