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FPS29N60L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: FPS29N60L-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FPS29N60L-VB

FPS29N60L-VB概述

    FPS29N60L-VB N-Channel 600 V (D-S) Super Junction MOSFET

    1. 产品简介


    FPS29N60L-VB 是一种 N-通道超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为 600V。该产品主要应用于服务器和电信电源供应系统、高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统、ATX 电源供应系统、焊接设备、电池充电器、太阳能光伏逆变器以及开关模式电源供应(SMPS)。该产品具备出色的低导通电阻和高耐压特性,适用于各类高压电源转换场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压 \( V{DS} \): 600V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.19Ω @ 25°C
    - 最大总栅极电荷 \( Qg \): 106nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 14nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 33nC
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): 160ns
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 1.2μC
    - 反向恢复电流 \( I{RRM} \): 14A
    - 绝对最大额定值: \( V{DS} \) = 600V, \( V{GS} \) = ±30V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 13A @ 100°C
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 367mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 208W
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 热阻抗 \( R{thJA} \): 62°C/W

    3. 产品特点和优势


    FPS29N60L-VB 的主要特点是其低 \( t{rr} \),\( Q{rr} \),\( I{RRM} \),低 \( FOM \) \( R{on} \times Qg \),低输入电容 \( C{iss} \),低开关损耗,超低栅极电荷 \( Qg \),以及雪崩能量等级 \( UIS \)。这些特性使其具有出色的开关性能,特别是在高频高压应用中表现优异。相比同类产品,FPS29N60L-VB 在低导通电阻和高耐压方面的平衡更为出色,使其在各种工业应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    FPS29N60L-VB 广泛应用于多种设备,如电信服务器电源供应系统、HID 和荧光灯照明系统、ATX 电源供应系统、焊接设备、电池充电器、太阳能光伏逆变器和 SMPS。例如,在电信服务器电源供应系统中,它能够提供高效稳定的电力转换。对于焊接设备,其高耐压和低开关损耗有助于减少热应力,提高设备的可靠性。使用时,建议根据具体应用需求选择合适的驱动电压和电流,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    FPS29N60L-VB 与其他标准电子元器件和设备具有良好的兼容性。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术指南和应用支持,确保客户能够在各种应用环境中充分发挥其潜力。此外,还可以通过公司网站和客服热线获得详细的技术资料和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中温度过高。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保适当的热管理和散热措施。增加散热片或者风扇,改善散热效果。
    2. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查电路中的寄生电感和寄生电容,优化 PCB 布局,减少干扰。确保电源稳定,适当调整驱动电压和电流。
    3. 问题: 开关损耗高。
    - 解决方案: 检查驱动电路和负载匹配情况,优化驱动波形和驱动电阻。选择更合适的驱动方案,降低驱动功率损耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FPS29N60L-VB 在多个关键性能指标上表现出色,特别适合应用于高效率、高可靠性的电源管理系统。其独特的设计和卓越的性能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高压、高效能转换的应用场景中使用该产品。

FPS29N60L-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FPS29N60L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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FPS29N60L-VB封装设计

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