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H5N2510DSTL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =17A;RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;适用于中高功率电子设备和模块,包括电源转换器、电动机控制器和高功率LED驱动器等领域。
供应商型号: H5N2510DSTL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H5N2510DSTL-E-VB

H5N2510DSTL-E-VB概述


    产品简介


    H5N2510DSTL-E是一款高性能的N沟道250V(漏极-源极)MOSFET,适用于多种电子设备和电路系统。它具有动态dv/dt等级、重复雪崩等级、快速开关能力以及简单的驱动需求等特点。该产品主要应用于需要高效率、高可靠性的电力电子设备,如变频器、电机驱动器和电源管理系统等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):250 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10 V时为0.176Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg max.):68 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):11 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):35 nC
    - 连续漏极电流 (ID):在25°C时为17 A,在100°C时为11 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):56 A
    - 最大功率耗散 (PD):在25°C时为125 W
    - 峰值二极管恢复dv/dt (dV/dt):4.8 V/ns
    - 最大结温 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt等级:确保在高频率下的稳定性和可靠性。
    2. 重复雪崩等级:具备多次冲击后的稳定性能,提高了可靠性。
    3. 快速开关:降低了损耗,提高了系统的效率。
    4. 简单驱动要求:降低了驱动电路的复杂度,便于集成到各种系统中。
    5. 易于并联:提高了功率处理能力和灵活性。
    这些特点使H5N2510DSTL-E在高可靠性、高效能的电力电子应用中具有显著优势,尤其适合用于变频器、电机驱动器和电源管理系统等场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 变频器:利用其快速开关特性和低导通电阻,有效降低损耗。
    2. 电机驱动器:适合驱动大功率电机,提供稳定的电流控制。
    3. 电源管理系统:能够承受高压和高频环境,适合各种电源转换和管理应用。
    使用建议
    - 在使用过程中要注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 要注意栅极驱动的设计,以充分发挥其快速开关的优势。
    - 配套使用合适的外部电路,减少寄生效应,提高整体系统的稳定性。

    兼容性和支持


    H5N2510DSTL-E采用标准TO-252封装,与其他常见的电子元器件和设备兼容性良好。制造商提供了详细的技术支持和维护信息,确保用户能够顺利进行安装和调试。对于具体的应用需求,用户可以通过官网获取进一步的技术文档和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何优化散热设计?
    - 解决方案:在PCB设计中加入铜箔散热片,增加散热面积;合理布置散热器,确保良好的空气流通。
    2. 问题:如何防止栅极振荡?
    - 解决方案:使用合适的栅极电阻,避免高速信号引起的振荡;确保PCB走线的布局尽量短且直接。
    3. 问题:如何正确选择驱动电路?
    - 解决方案:根据具体应用场景选择合适驱动芯片,确保其输出能力符合要求,同时避免过度驱动导致损坏。

    总结和推荐


    H5N2510DSTL-E是一款性能优异、适用范围广泛的N沟道MOSFET,具有出色的动态dv/dt等级、重复雪崩等级、快速开关等特性,适用于高可靠性和高效能的电力电子应用。尽管其价格相对较高,但考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐此产品用于相关领域的设计与开发。

H5N2510DSTL-E-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 176mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 17A
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

H5N2510DSTL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H5N2510DSTL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 H5N2510DSTL-E-VB H5N2510DSTL-E-VB数据手册

H5N2510DSTL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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型号 价格(含增值税)
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