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NCE90R1K2F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: NCE90R1K2F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE90R1K2F-VB

NCE90R1K2F-VB概述


    产品简介


    本手册介绍了NCE90R1K2F,一款由台湾VBsemi电子有限公司生产的N-通道(D-S)超级结功率MOSFET。这款产品主要用于高压环境下的各种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和高频逆变器等。它具有高动态dv/dt等级、重复雪崩额定值和简单驱动要求等特点,使其成为高性能电子设计的理想选择。

    技术参数


    - 电压等级 (VDS): 900V
    - 静态栅源击穿电压 (VDS): 900V
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0V
    - 门极-源极漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 100μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS=10V时,RDS(on)为0.95Ω
    - 总栅电荷 (Qg): 最大值200nC
    - 输入电容 (Ciss): 3100pF
    - 输出电容 (Coss): 800pF
    - 反向传输电容 (Crss): 490pF
    - 峰值二极管恢复dv/dt (dV/dt): 2.0V/ns
    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 900V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 5.5A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770mJ
    - 最大功耗 (PD): 65W
    - 工作结温范围 (TJ): -55°C至+150°C
    - 热阻率 (RthJA): 最大值40°C/W
    - 焊接温度峰值: 300°C

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt等级: 高达2.0V/ns,确保在高频率开关应用中的稳定性能。
    2. 重复雪崩额定值: 可承受多次雪崩击穿,增强可靠性。
    3. 简单的驱动要求: 低门极驱动需求,便于集成到现有系统中。
    4. 隔离式中央安装孔: 有助于散热,延长使用寿命。
    5. 快速开关: 转换时间为数十纳秒级别,适合高频应用。
    6. 符合RoHS标准: 符合欧盟环保标准,适用于国际市场销售。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源: NCE90R1K2F可以用于开关电源中的转换电路,提高转换效率并降低损耗。
    2. 电机驱动: 在电机驱动系统中,它可以提供低损耗的高效驱动能力。
    3. 高频逆变器: 由于其快速开关特性,特别适用于需要高频工作的逆变器系统。
    使用建议
    1. 电路布局: 确保电路布局低杂散电感,减少寄生效应,从而提高性能。
    2. 冷却管理: 注意保持适当的散热措施,特别是在高功率运行下,以防止过热。
    3. 参数验证: 在实际应用前,应进行充分的参数测试和验证,确保器件性能满足设计要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NCE90R1K2F具有广泛的兼容性,适用于多种电压等级和电流等级的应用。
    - 技术支持: VBsemi提供详细的技术文档和支持,帮助客户快速解决问题并优化设计。
    - 维护信息: 厂商提供全面的维护和保修服务,确保用户获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何正确选择合适的栅极驱动电阻?
    - 解决方案: 参考应用笔记,根据实际应用需求和MOSFET的特性来确定合适的栅极驱动电阻值。

    2. 问题: 在高温环境下工作时如何避免热失控?
    - 解决方案: 采用有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇,确保器件工作在安全的温度范围内。

    3. 问题: 如何减少开关损耗?
    - 解决方案: 选择合适的栅极驱动电阻,调整驱动信号的上升沿时间,以实现快速开关并减少损耗。

    总结和推荐


    综上所述,NCE90R1K2F是一款高性能的N-通道超级结功率MOSFET,具有卓越的动态性能和可靠性。它特别适用于需要高电压、高频和高可靠性的电力电子应用。对于需要进行高压开关操作的设计,这款产品是一个非常值得推荐的选择。强烈建议用户参考手册中的技术参数和应用指南,以确保获得最佳的使用效果。

NCE90R1K2F-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE90R1K2F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE90R1K2F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE90R1K2F-VB NCE90R1K2F-VB数据手册

NCE90R1K2F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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