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FTW20N60A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
供应商型号: FTW20N60A-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FTW20N60A-VB

FTW20N60A-VB概述

    FTW20N60A-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    FTW20N60A-VB 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明、工业等多种应用场合。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),在高频和高压环境中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压:700V (VDS)
    - 导通电阻:0.23Ω (RDS(on) @ 25°C, VGS = 10V)
    - 总栅极电荷:24nC (Qg Typ.)
    - 栅极-源极电荷:6nC (Qgs)
    - 栅极-漏极电荷:11nC (Qgd)
    - 最大脉冲漏电流:45A (IDM)
    - 最大安全工作区(SOA):重复性额定值,脉宽受限于最高结温(TJ)
    - 单脉冲雪崩能量:286mJ (EAS)
    - 最大功耗:180W (PD)
    - 最高工作温度:150°C (TJ, Tstg)
    - 导热系数:最大结到环境:62°C/W (RthJA),最大结到外壳(漏极):0.7°C/W (RthJC)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:具备超低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗。
    - 输入电容低:低输入电容(Ciss),降低驱动功率需求。
    - 减少开关和导通损耗:超低栅极电荷(Qg)和极低的导通电阻(RDS(on)),在各种应用中具有出色的效率。
    - 雪崩能量评级:具有重复性的雪崩能量评级(UIS),增强了其在高电压应用中的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:由于其高耐压能力和低导通电阻,特别适合用于这些高功率密度的应用。
    - 照明:特别适合高亮度放电灯(HID)和荧光灯的照明系统。
    - 工业应用:焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源等应用中表现优异。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应注意保证栅极电压(VGS)在合适的范围内(0V至±30V)以避免损坏。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计以确保可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他符合标准的电路板和电源模块高度兼容。
    - 支持和服务:提供详尽的技术文档和支持,如遇到问题可通过服务热线400-655-8788咨询台湾VBsemi的专家团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用适当的散热器或散热片。

    - 问题2:驱动信号不正常
    - 解决方案:检查驱动电路,确认信号波形正确无误。

    - 问题3:输出不稳定
    - 解决方案:确保负载匹配正确,检查并调整栅极驱动电路以提高稳定性。

    总结和推荐


    FTW20N60A-VB 在高效能和可靠性方面表现出色,特别是在需要高耐压和低损耗的应用中。其卓越的性能和多功能性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐用于需要高功率密度和高效转换的应用场合。

FTW20N60A-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FTW20N60A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FTW20N60A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FTW20N60A-VB FTW20N60A-VB数据手册

FTW20N60A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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