处理中...

首页  >  产品百科  >  P25NM50N-VB

P25NM50N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=500V;ID =30A;RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;是电源管理、电机驱动以及家用电器等领域的优秀选择。
供应商型号: P25NM50N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P25NM50N-VB

P25NM50N-VB概述


    产品简介


    P25NM50N N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要适用于硬开关拓扑结构、功率因数校正电源供应器(PFC)、开关模式电源供应器(SMPS)及计算设备(如PC银箱/ATX电源供应器)和照明系统(如两阶段LED照明)。该产品通过其低导通电阻(Ron)和极低的输入电容(Ciss)显著减少了开关和导通损耗,使其在多种电力转换应用中表现优异。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 500 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 μA | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.115 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 57 | 86 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 25 | - | nC |

    产品特点和优势


    P25NM50N具备多种独特功能和优势,包括:
    - 低品质因数(FOM):Ron x Qg,这使得其在硬开关拓扑中表现出色。
    - 极低的输入电容(Ciss),进一步减少了开关损耗。
    - 减少的开关和导通损耗,使其在各种应用中高效运作。
    - 低栅极电荷(Qg),减少功耗。
    - 反复额定的单脉冲雪崩能量(EAS)。
    这些优势使得P25NM50N在硬开关拓扑和其他需要高效率的应用中非常具有竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:P25NM50N可以用于各种电源转换器中,例如PC银箱/ATX电源供应器,因为它能够显著提高转换效率。
    - LED照明系统:在两阶段LED照明系统中,P25NM50N能够有效地减少热损失,提升整体效率。
    使用建议
    - 在设计电源电路时,合理布局和选用低杂散电感材料,以减少开关损耗。
    - 使用合适的驱动电路和栅极电阻,以确保快速且无损的开关操作。

    兼容性和支持


    P25NM50N在设计上是为与其他标准的电气设备兼容的。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的规格书、测试电路图和技术指导文档,以帮助客户正确地使用和优化产品性能。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确选择栅极电阻?
    - A:推荐使用9.1 Ω的栅极电阻以确保良好的开关性能。过高的栅极电阻会增加开关延迟时间,而过低的电阻会导致开关速度过快,从而增加功耗。

    2. Q:P25NM50N在高温环境下如何保证正常工作?
    - A:P25NM50N的工作温度范围为-55°C至+150°C,可以通过优化散热措施确保在高温环境下稳定运行。确保安装到合适的散热片上,以避免因温度过高导致的性能下降。

    总结和推荐


    P25NM50N是一款卓越的功率MOSFET,在高效率、低损耗方面表现出色,适合在硬开关拓扑和各类电源转换器中广泛应用。其紧凑的设计、强大的技术规格和可靠的支持使得它成为一款极具竞争力的产品。因此,强烈推荐给需要高效率、高可靠性电子元器件的工程师和设计师们。

P25NM50N-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 30A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P25NM50N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P25NM50N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P25NM50N-VB P25NM50N-VB数据手册

P25NM50N-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 97.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504