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K53S60L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K53S60L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K53S60L-VB

K53S60L-VB概述

    K53S60L-VB 超结功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    K53S60L-VB 是一款 N-沟道 650V 超结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高亮度放电灯(HID)照明、荧光灯镇流器、焊接设备、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源和太阳能光伏逆变器等领域。

    技术参数


    以下是 K53S60L-VB 的关键技术和规格参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):700V(在 TJmax 下)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):在 25°C 时为 0.06Ω(当 VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 273nC
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 5682pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为 251pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值为 1pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为 1410mJ
    - 最大功耗 (PD):415W
    - 绝对最大额定值:最大结到环境热阻 RthJA 为 40°C/W;最大结到外壳(漏极)热阻 RthJC 为 3°C
    - 最大结温 (TJ) 和存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    K53S60L-VB 具有以下几个独特的功能和优势:
    - 低门极电阻 (Ron x Qg):较低的损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有助于减少开关损耗。
    - 减小的开关和导通损耗:通过优化设计来提高效率。
    - 超低门极电荷 (Qg):降低驱动功率。
    - 雪崩能量评级 (UIS):增强耐用性。
    这些特性使得 K53S60L-VB 在高性能应用中表现出色,如服务器和电信电源系统、SMPS 和 PFC 电源系统,以及各种工业应用,比如焊接设备和太阳能光伏逆变器。

    应用案例和使用建议


    K53S60L-VB 广泛应用于各类电源系统和工业设备中。在服务器和电信电源系统中,它可以提高系统的能效和可靠性。在焊接设备和感应加热设备中,其优异的雪崩耐受能力可以提供更高的稳定性。
    使用建议:
    - 确保正确的电路布局,以减少杂散电感和泄漏电感。
    - 使用低噪声电流采样电阻器进行电流检测。
    - 保持良好的接地平面设计,以确保信号完整性和降低干扰。

    兼容性和支持


    K53S60L-VB 与常见的工业标准电源系统和控制板兼容,可以方便地集成到现有设计中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的技术文档、培训材料和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免 MOSFET 过热?
    - 解决方案:确保适当的散热措施,如使用散热片和热导管,以及保证良好的气流。
    2. 问题:如何改善 MOSFET 的开关性能?
    - 解决方案:优化驱动电路的设计,降低栅极电阻并使用高速驱动器。
    3. 问题:如何提高 MOSFET 的耐用性?
    - 解决方案:选择具有较高雪崩耐受性的型号,并确保电路布局的合理设计。

    总结和推荐


    K53S60L-VB 是一款性能优越的 N-沟道超结功率 MOSFET,适用于多种高性能应用场合。其低损耗、高可靠性以及广泛的应用兼容性使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在需要高效能、高可靠性的应用中使用这款 MOSFET。

K53S60L-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 47A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K53S60L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K53S60L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K53S60L-VB K53S60L-VB数据手册

K53S60L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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