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IXTQ26N60P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: IXTQ26N60P-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTQ26N60P-VB

IXTQ26N60P-VB概述

    产品概述:IXTQ26N60P-VB N-Channel 600V超级结MOSFET

    产品简介


    IXTQ26N60P-VB是一款高性能的N-Channel超级结MOSFET,适用于多种高功率应用场合。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,使其特别适合电信、照明、消费电子产品、工业设备及可再生能源系统中的应用。该器件的工作电压高达600V,能够处理大电流负载,广泛应用于开关模式电源供应器(SMPS)、服务器电源和电信设备等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):600V
    - 最大工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 连续漏极电流 (ID):13A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):53A
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19Ω (VGS=10V, TC=25°C)
    - 输入电容 (Ciss):2322pF (VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz)
    - 总栅极电荷 (Qg):71nC
    - 输出电容 (Coss):105pF
    - 反向转移电容 (Crss):4pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):367mJ

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):使得器件在高速开关应用中表现优异。
    - 低恢复时间 (trr) 和 低恢复电荷 (Qrr):有助于减少开关损耗。
    - 超低输入电容 (Ciss):有效降低输入端的电荷存储效应,提升整体性能。
    - 高重复额定值:可以承受频繁的高压脉冲。
    - 宽工作温度范围:确保器件在极端环境下依然稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    IXTQ26N60P-VB广泛应用于各种电源转换器,包括但不限于:
    - 电信电源:电信和服务器电源通常需要高性能且可靠的电源转换器,IXTQ26N60P-VB非常适合此类应用。
    - 工业焊接设备:IXTQ26N60P-VB能够在高电流和高功率条件下稳定工作,是工业焊接设备的理想选择。
    - 可再生能源系统:例如太阳能光伏逆变器(PV Inverter),由于其高耐压和高效能的特点,IXTQ26N60P-VB可以在逆变器中提供高效的电力转换。
    使用建议:
    - 在选择MOSFET时,要确保其耐压等级高于实际工作电压的1.2倍以上,以提高安全裕度。
    - 使用低漏感布局和良好的散热设计,以进一步提升器件的可靠性和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTQ26N60P-VB采用标准TO-3P封装,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司为用户提供全面的技术支持,包括产品选型、测试和调试等。

    常见问题与解决方案


    - Q:在高温下工作的MOSFET为什么会过热?
    - A:确保正确的热管理设计,如增加散热片或采用强制风冷。检查电路中的热阻抗,并优化散热路径。
    - Q:器件在高频开关时出现振铃现象如何解决?
    - A:通过优化PCB布局来减少寄生电感,使用合适的门极驱动电路,并选择适当的外接RC缓冲网络来抑制振铃。

    总结和推荐


    IXTQ26N60P-VB作为一款高性能N-Channel超级结MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的适用范围,在众多高功率应用中表现出色。其优异的耐温性能、快速的开关特性和低损耗特性,使其成为许多电源转换应用中的理想选择。对于需要高可靠性、高效能的工程师和设计师来说,IXTQ26N60P-VB是一个非常值得推荐的产品。

IXTQ26N60P-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTQ26N60P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTQ26N60P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTQ26N60P-VB IXTQ26N60P-VB数据手册

IXTQ26N60P-VB封装设计

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