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AOTF9N90-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: AOTF9N90-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AOTF9N90-VB

AOTF9N90-VB概述

    AOTF9N90-VB N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    AOTF9N90-VB是一款N沟道900V超级结功率MOSFET,具有出色的动态性能、重复雪崩耐受能力、隔离中心安装孔等特点。这款MOSFET适用于电源转换、电机驱动、焊接设备等多种工业和消费电子产品领域。

    2. 技术参数


    - 关键参数:
    - 漏源电压 (VDS): 900V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.95Ω (VGS=10V)
    - 总栅极电荷 (Qg(max)): 200nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 24nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 110nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 900V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 25°C时为25A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 线性降额因子为1.5W/°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 7.8A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 19mJ
    - 最大功耗 (PD): 65W (TC=25°C)
    - 峰值二极管恢复 (dV/dt): 2.0V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:这款MOSFET具有出色的快速开关特性,非常适合高频应用。
    - 易于并联:便于多器件并联使用,提高系统可靠性。
    - 简单的驱动要求:简化驱动电路设计,降低系统复杂度。
    - 符合RoHS指令:满足环保要求,减少环境污染。
    - 高可靠性:具有高耐压能力和重复雪崩耐受能力,适合严苛的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    AOTF9N90-VB广泛应用于电源转换器、电机驱动、焊接设备等领域。例如,在高频逆变器中,由于其快速开关特性,可以显著提高效率和减小体积。在电机驱动中,易于并联的特点可以有效提升驱动系统的稳定性。
    使用建议:
    - 在设计驱动电路时,应注意控制栅极信号的上升沿和下降沿,以避免过大的瞬态电压对MOSFET造成损害。
    - 对于需要高可靠性应用场合,建议采用更高级别的封装或增加散热措施。

    5. 兼容性和支持


    AOTF9N90-VB与其他电子元器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到各种应用中。制造商提供了详细的技术支持文档和客户服务中心,帮助用户解决应用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何防止栅极信号干扰?
    - 解决方法:确保驱动线路尽量短且直,采用屏蔽线缆以减少电磁干扰。
    - 问题:高温下功耗增加导致过热问题如何处理?
    - 解决方法:增加外部散热片,或选择更大尺寸的MOSFET以提高散热能力。

    7. 总结和推荐


    AOTF9N90-VB是一款高性能、多功能的N沟道900V超级结功率MOSFET,具备优秀的动态性能和高可靠性,适用于多种工业应用。对于需要高性能、高可靠性的应用场景,强烈推荐使用AOTF9N90-VB。建议在设计时仔细参考技术手册,确保最佳性能和稳定性。

AOTF9N90-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

AOTF9N90-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AOTF9N90-VB数据手册

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AOTF9N90-VB封装设计

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