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2SJ0582-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: 2SJ0582-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ0582-VB

2SJ0582-VB概述

    2SJ0582 P-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    2SJ0582 是一款由 VBsemi 生产的 P-Channel Power MOSFET(P沟道功率场效应晶体管)。这种类型的 MOSFET 主要应用于开关电源、马达驱动和逆变电路等领域。它的主要功能是作为开关元件,在数字电路和模拟电路中起到控制电流的作用。由于其高动态 dV/dt 评级、重复雪崩额定值以及快速开关能力,使其成为现代高效能电力转换系统的理想选择。

    技术参数


    以下是 2SJ0582 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | -200 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | -3.6 | - | -2.5 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 500 | - | - | mJ |
    | 雪崩电流 | IAR | -6.4 | - | - | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | 7.4 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 74 | - | - | W |
    | 峰值二极管恢复 dV/dt | dV/dt | - | -5.0 | - | V/ns |
    此外,这款 MOSFET 还具有良好的温度稳定性、高重复雪崩额定值和快速开关速度等特点,使其适用于高温、高压等恶劣环境下的应用。

    产品特点和优势


    - 表面贴装:便于自动化生产和组装,提高生产效率。
    - 动态 dV/dt 评级:适用于高速开关场合,减少开关损耗。
    - 重复雪崩额定值:确保器件在恶劣环境下仍能可靠运行。
    - 快速开关:加快电路响应速度,减少能耗。
    - 易于并联:可实现更高的电流处理能力,适用于大功率应用。
    这些特点使 2SJ0582 在众多电力转换应用中表现出色,特别是在需要高频开关和高压应用的场合。

    应用案例和使用建议


    2SJ0582 广泛应用于开关电源、马达驱动器、逆变器和其他电力转换系统中。以下是一些实际应用示例及其使用建议:
    - 开关电源:由于其低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,2SJ0582 可以用于构建高效率的开关电源。建议使用低电感布局来减少寄生效应,从而进一步提升效率。
    - 马达驱动器:在马达驱动器中,快速开关和高重复雪崩额定值是关键。通过合理设计驱动电路和 PCB 布局,可以有效降低马达驱动过程中的电磁干扰(EMI)。
    对于用户来说,需要注意的是在实际应用过程中保持正确的散热措施,以避免过热导致的损坏。此外,合理选择外部栅极电阻(Rg)也可以帮助优化开关时间和减少功耗。

    兼容性和支持


    2SJ0582 可以与其他同类电子元器件或设备轻松兼容,支持广泛的电气特性。VBsemi 提供详细的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题和解决方案,这里列出了几个可能遇到的问题及相应的解决方法:
    1. 问题:设备启动时出现异常噪声。
    - 解决办法:检查电路中的寄生电感是否过大,必要时进行布局优化。
    2. 问题:过载情况下 MOSFET 烧毁。
    - 解决办法:确认负载电流是否在允许范围内,检查散热措施是否到位。
    3. 问题:切换速度较慢。
    - 解决办法:适当减小栅极电阻(Rg),优化驱动电路设计。

    总结和推荐


    综上所述,2SJ0582 是一款高性能的 P-Channel Power MOSFET,具备多种优良特性和广泛的应用范围。无论是高要求的开关电源还是恶劣环境下的电力转换应用,它都能展现出卓越的性能。强烈推荐用户在相关应用场景中使用此款 MOSFET,相信它将为您的项目带来显著的优势。

2SJ0582-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 3.6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 1
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ0582-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ0582-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ0582-VB 2SJ0582-VB数据手册

2SJ0582-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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