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IRF7703GTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TSSOP8;P沟道;VDS=-30V;ID =-9A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;可用作电源开关和电流控制器件,以实现医疗设备的电源管理和工作控制。
供应商型号: IRF7703GTRPBF-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7703GTRPBF-VB

IRF7703GTRPBF-VB概述

    # IRF7703GTRPBF 双通道P沟道30V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    IRF7703GTRPBF是一款由VBsemi公司生产的双通道P沟道30V(D-S)功率MOSFET芯片,采用了TrenchFET®技术。该产品主要用于笔记本电脑、台式机和游戏主机等消费类电子产品中的负载开关应用。IRF7703GTRPBF通过采用无卤素设计并经过100% UIS测试,确保了其高可靠性与环保特性。
    主要功能
    - 高效能的电源管理
    - 支持快速开关速度,适合高频电路设计
    - 低导通电阻(RDS(on)),减少能量损耗
    应用领域
    - 笔记本PC
    - 桌面PC
    - 游戏站设备

    技术参数


    以下是IRF7703GTRPBF的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VDS -30 V |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | 0.01 | 0.020 Ω |
    | 连续漏极电流 | ID -9.5 A |
    | 最大功耗 | PD | 5.0 W |
    | 最高工作温度 | TJ | -55 150 | °C |
    热阻抗
    - 结至环境热阻抗(典型值):38°C/W
    - 结至脚热阻抗(最大值):25°C/W
    特殊性能
    - 符合RoHS标准
    - 无卤素设计
    - 所有单元均通过UIS测试以验证短路能力

    产品特点和优势


    IRF7703GTRPBF的主要优势体现在以下几个方面:
    1. 高性能导通电阻:典型值为0.01Ω至0.020Ω,在-10V和-4.5V栅源电压下表现优异。
    2. 高集成度:提供双通道设计,节省PCB空间,同时保证高效能。
    3. 快速开关速度:动态参数如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)等指标表明其适合高频操作。
    4. 坚固耐用:经过严格的质量控制流程,适用于严苛的工作环境。
    这些特点使其成为现代电子设备中理想的功率控制元件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF7703GTRPBF广泛应用于笔记本电脑和台式机的负载开关模块中。例如,在Intel NUC系列微型计算机中,这款MOSFET被用来控制主板上不同组件之间的电源切换。
    使用建议
    - 散热管理:鉴于其高功耗特性,在密集布局环境中需要增加散热片或加强空气流通来防止过热现象。
    - 驱动电路优化:为了实现最佳性能,请确保栅极驱动器具有足够的电流能力以避免开关过程中出现误动作。

    兼容性和支持


    IRF7703GTRPBF与主流PCB制造工艺完全兼容,并且支持多种焊接方法。制造商提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决使用过程中的任何疑问。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时出现异常噪声 | 检查电路板上的屏蔽接地连接是否正确 |
    | 导通电阻过高 | 确认输入电压是否达到所需水平 |
    | 热失控 | 增加外部散热装置以改善热传导效果 |

    总结和推荐


    综上所述,IRF7703GTRPBF凭借其卓越的性能、紧凑的设计及广泛的适用范围,在负载开关领域占据领先地位。对于希望提升系统效率并降低成本的工程师来说,这无疑是一个值得信赖的选择。如果您正在寻找一款可靠且高效的P沟道MOSFET,请考虑将IRF7703GTRPBF纳入您的设计方案之中!
    推荐指数:★★★★★

IRF7703GTRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ(mΩ)
配置 -
长*宽*高 6.7mm*3.2mm*1.3mm
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7703GTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7703GTRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7703GTRPBF-VB IRF7703GTRPBF-VB数据手册

IRF7703GTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
3000+ ¥ 2.5333
库存: 400000
起订量: 10 增量: 3000
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