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TSM9N90CZ C0G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在各种电源管理模块中,可用于功率开关控制,如电源开关、电压稳定器等。
供应商型号: TSM9N90CZ C0G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM9N90CZ C0G-VB

TSM9N90CZ C0G-VB概述


    产品简介


    TSM9N90CZ C0G N-Channel MOSFET
    TSM9N90CZ C0G 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有高击穿电压(900V)和低导通电阻(RDS(on)),广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等工业及消费电子领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : |
    | 击穿电压 (VDS) | - | - | 900 | V |
    | 门极阈值电压 (VGS(th)) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零门极电压漏电流 (IDSS) | - | - | 100 | μA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | - | 0.95 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | - | 200 | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | - | 3100 | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | 800 | - | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | - | 490 | - | pF |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | - | - | 5.5 | A |
    | 最大重复雪崩电流 (IAR) | - | - | 7.8 | A |
    | 最大重复雪崩能量 (EAR) | - | - | 19 | mJ |
    | 热阻(结到环境) (RthJA) | - | - | 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt额定值:TSM9N90CZ C0G 具备出色的动态dV/dt额定值,使其在快速开关应用中表现优异。
    2. 重复雪崩额定值:该MOSFET经过严格测试,可以承受反复的雪崩电流,确保长期可靠运行。
    3. 隔离中央安装孔:具有隔离式中央安装孔,便于散热管理,提高热性能。
    4. 易于并联:具备简单并联要求,易于设计多级系统。
    5. 简单的驱动需求:其驱动要求简单,方便用户进行集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:适用于DC-DC转换器、AC-DC转换器,以实现高效、可靠的电源转换。
    - 电机驱动:在伺服电机、步进电机等应用中,提供精确和高效的驱动控制。
    - 逆变器:适用于光伏逆变器、储能系统逆变器等,能够有效处理高电压和大电流。
    使用建议
    1. 散热管理:考虑到高功率密度应用,需采用适当的散热措施,如散热片或热管,以避免过热。
    2. 电路布局:在设计电路时,应减少寄生电感,使用大面积接地平面,以降低寄生效应。
    3. 电源线滤波:适当增加输入端的滤波电容,减少电源波动对MOSFET的影响。
    4. 选择合适的栅极驱动:根据MOSFET的工作频率和电流要求选择合适的栅极驱动器,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    TSM9N90CZ C0G 符合RoHS标准,不含铅(Pb),并且在设计上支持广泛的电气特性和工作环境。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET发热严重,如何解决?
    - 解决方案:检查电路设计是否有散热不足的情况,可增加散热片或使用热管来加强散热。同时,检查驱动信号是否稳定,可能需要优化驱动电路。
    2. 问题:在高频应用中,栅极振铃现象明显,如何处理?
    - 解决方案:可以尝试增加栅极串联电阻(Rg)以减缓信号上升沿速度,从而抑制振铃现象。同时,采用合适的栅极驱动器和PCB布局以减少寄生电感。
    3. 问题:电路在高温环境下表现不稳定,如何改进?
    - 解决方案:在高温环境下,确保电路板和MOSFET周围有足够的空气流动,或者采用更好的散热方案。同时,在设计时考虑使用耐高温材料和优化电路布局。

    总结和推荐


    综上所述,TSM9N90CZ C0G N-Channel MOSFET 是一款高性能的产品,具备出色的动态dV/dt和重复雪崩能力,适用于多种高压、高可靠性应用。
    推荐用于:
    - 电源转换器
    - 电机驱动
    - 逆变器等高压、高频应用场景
    对于需要高性能和高可靠性的客户,TSM9N90CZ C0G 是一个理想的选择。

TSM9N90CZ C0G-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 900V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 7A
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TSM9N90CZ C0G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM9N90CZ C0G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM9N90CZ C0G-VB TSM9N90CZ C0G-VB数据手册

TSM9N90CZ C0G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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