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VBL18R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=800V;ID =7A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;太阳能逆变器中,该产品可用于将光伏电池板产生的直流电转换为交流电,以供电网使用。
供应商型号: VBL18R07S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL18R07S

VBL18R07S概述

    # VBL18R07S N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBL18R07S 是一种高电压N-Channel MOSFET(场效应晶体管),它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)。该产品主要用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及各种照明和工业应用。通过其独特的设计,这款MOSFET能够显著降低开关损耗和传导损耗,适用于需要高效能电力管理的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | 800 V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) 0.85 Ω @ 10 V |
    | 总栅极电荷 (Qg) 11 | nC @ 10 V |
    | 输入电容 (Ciss) 1473 pF |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | 2 4 | V |
    | 最大连续漏电流 (ID) | 5.9 A @ 25 °C |
    | 绝对最大脉冲漏电流 (IDM) 230 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 (EAS) | 90 mJ |
    | 最大结温 (TJ) | -55 150 | °C |
    | 最大结到环境热阻 (RthJA) 72 °C/W |
    | 最大结到外壳热阻 (RthJC) 0.7 °C/W |

    产品特点和优势


    VBL18R07S 的显著特点包括:
    - 极低的图腾柱(Ron x Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少开关和传导损耗
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 支持重复脉冲能力
    这些特性使得 VBL18R07S 在高效率和可靠性方面表现优异,尤其适合需要在恶劣环境下工作的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:由于其低损耗特性,VBL18R07S 可以有效提高电源转换效率。
    2. 开关模式电源(SMPS):其出色的开关性能有助于实现高效的能量转换。
    3. 照明系统:在 HID 和荧光灯照明系统中,VBL18R07S 可以显著减少电路的损耗。
    4. 工业应用:例如电机控制、逆变器等,可提供可靠的电力管理和保护。
    使用建议
    1. 散热管理:确保良好的散热设计以避免高温对器件性能的影响。
    2. 正确选择驱动电路:合理设置栅极电阻以保证快速且稳定的开关过程。
    3. 考虑布局:尽量减小寄生电感和电容,提高系统的整体稳定性。

    兼容性和支持


    VBL18R07S 设计上具备良好的兼容性,可以与其他标准电源管理系统配合使用。厂商提供全面的技术支持和服务,包括设计指导、故障排除等,以确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 过热现象:增加散热片或风扇,改善散热条件。
    2. 开关频率不稳定:检查并调整栅极驱动电路中的电阻和电容值。
    3. 漏电流异常:检查电路连接是否正确,是否有短路或开路现象。

    总结和推荐


    VBL18R07S N-Channel MOSFET 在多种高要求应用中表现出色,具备低损耗、高效率的特点。它特别适用于需要高性能和高可靠性的应用场景,如服务器电源、通信设备及工业自动化等领域。因此,强烈推荐使用 VBL18R07S,它将为您的项目带来显著的优势。

VBL18R07S参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL18R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL18R07S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL18R07S VBL18R07S数据手册

VBL18R07S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
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