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FCH47N60NF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: FCH47N60NF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCH47N60NF-VB

FCH47N60NF-VB概述


    产品简介


    FCH47N60NF-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道超结功率MOSFET。它主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它也广泛应用于照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统及太阳能逆变器等)。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 700 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.06 Ω (在25°C时)
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 273 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 46 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 79 nC
    - 雪崩能量等级 (UIS): 1410 mJ
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): TC = 25°C 时 47 A,TC = 100°C 时 30 A
    - 脉冲漏极电流 (IMD): 142 A
    - 绝对最高工作温度 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 最大值为 40°C/W
    - 热阻 (RthJC): 最大值为 3°C/W

    产品特点和优势


    1. 低器件图 (FOM): 低Ron x Qg
    2. 低输入电容 (Ciss)
    3. 减少开关损耗和导通损耗
    4. 超低栅极电荷 (Qg)
    5. 雪崩能量等级 (UIS)
    这些特点使这款MOSFET具有高效、快速开关和低功耗的优势,在高功率应用中表现卓越,特别适用于服务器和电信电源系统、SMPS和PFC等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源系统:这类系统需要高效的电源转换,以确保高能效和稳定运行。FCH47N60NF-VB以其低功耗和高效率特性非常适合此类应用。
    - 工业应用:例如焊接和感应加热系统。由于这些应用通常需要大功率输出和高可靠性,这款MOSFET的高雪崩能量等级使其能够在这些环境中可靠工作。
    - 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FCH47N60NF-VB可以提供高效的电力转换,帮助将太阳能转化为可用的电力。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到其高功耗特性,建议在使用过程中采用有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 布局设计:尽量减少引线长度和回路面积,减少寄生电感的影响。建议使用接地平面来降低噪声和提高稳定性。

    兼容性和支持


    该产品与标准的TO-247AC封装兼容,便于集成到现有电路板中。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持,包括详细的规格文档和技术咨询。客户可以随时通过服务热线400-655-8788联系获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现异常高温。
    - 解决方案:检查电源电压是否符合要求,调整PWM占空比,增加散热措施。
    - 问题2:切换速度慢。
    - 解决方案:检查电路布局是否存在寄生电感问题,尝试降低栅极电阻Rg,提高切换速度。
    - 问题3:器件损坏。
    - 解决方案:确保器件安装正确,没有静电损伤,检查过载保护机制是否正常工作。

    总结和推荐


    总体而言,FCH47N60NF-VB是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,具有高效率、低损耗和高可靠性等特点。其在多种高功率应用中的表现尤为突出,特别是在服务器和电信电源系统、SMPS、PFC等领域。因此,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高可靠性和高效率的应用场景中。

FCH47N60NF-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCH47N60NF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCH47N60NF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCH47N60NF-VB FCH47N60NF-VB数据手册

FCH47N60NF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
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