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FCA22N60N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: FCA22N60N-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCA22N60N-VB

FCA22N60N-VB概述

    FCA22N60N-VB N-Channel 600 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FCA22N60N-VB 是一款 N 沟道 600 V 超级结 MOSFET,广泛应用于电信、照明、消费电子产品、工业设备及可再生能源系统等领域。这款器件具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),使其成为开关电源(SMPS)应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 击穿电压(VDS): 最大 600 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 25 °C 时典型值为 0.19 Ω
    - 栅极电荷(Qg): 最大 106 nC
    - 输入电容(Ciss): 2322 pF(VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss): 105 pF
    - 反向传输电容(Crss): -4 pF
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 53 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 367 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 208 W
    - 最高工作温度(TJ): -55 °C 至 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    FCA22N60N-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 低开关损耗:通过减少反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和逆向恢复峰值电流(IRRM),该器件能有效降低开关损耗。
    - 低栅极电荷(Qg):栅极电荷低,可以减少驱动损耗。
    - 低输入电容(Ciss):有助于减少输入端的充电损耗。
    - 超低栅极电荷:进一步降低开关损耗。
    - 雪崩能力:具有良好的雪崩能量耐受能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电信行业:适用于服务器和电信电源供应。建议选择合适的工作频率和驱动电路,以最大化性能。
    - 照明行业:适用于高强度放电(HID)和荧光灯管的驱动。建议考虑散热设计以保证长期稳定运行。
    - 消费电子和计算设备:适用于ATX电源供应。注意优化驱动电路以确保快速开关。
    - 工业设备:适用于焊接和电池充电设备。建议关注散热管理以避免过热。
    - 可再生能源:适用于太阳能光伏逆变器。需要考虑抗干扰措施以提高可靠性。
    - 开关模式电源(SMPS):广泛应用于各类电源转换装置。建议使用合适的PCB布局和散热设计以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与常见的PCB布局和驱动电路兼容。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,可通过服务热线(400-655-8788)联系获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极电压过高导致器件损坏。
    - 解决方案:确保使用正确的驱动电路,并限制栅极电压不超过规定的范围。
    - 问题2:散热不良导致器件过热。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇。
    - 问题3:器件在高频应用中出现异常损耗。
    - 解决方案:选择合适的电路布局和组件,确保高速信号的完整性。

    7. 总结和推荐


    FCA22N60N-VB是一款高性能的N沟道600V超级结MOSFET,具备出色的开关性能和高可靠性。适用于多种高压应用场合,如电信、照明、工业控制和可再生能源等。考虑到其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在各种高压开关电源设计中使用该产品。

FCA22N60N-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCA22N60N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCA22N60N-VB数据手册

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FCA22N60N-VB封装设计

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