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IRFR460TRRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=500V;ID =14A;RDS(ON)=290mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于需要高电压、高电流和高效率的应用领域,包括但不限于工业电源、电动车辆、太阳能逆变器和工业自动化等。
供应商型号: IRFR460TRRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR460TRRPBF-VB

IRFR460TRRPBF-VB概述

    电子元器件技术手册解析:N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET IRFR460TRRPBF

    1. 产品简介


    产品类型:本产品为N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET,广泛应用于高电压电力系统及计算领域。
    主要功能:具备低门槛导通电阻(Ron)和低输入电容(Ciss),能够显著降低开关损耗和导通损耗。
    应用领域:
    - 计算机:适用于PC银箱/ATX电源供应系统。
    - 其他高压电力转换和控制系统。

    2. 技术参数


    静态参数:
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):500 V
    - 源极-漏极通态电阻(RDS(on)):在25°C时,最大值为0.243 Ω(VGS=10V)
    - 输入电容(Ciss):典型值为1162 pF
    - 输出电容(Coss):51 pF
    - 反向传输电容(Crss):-7 pF
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):在500 V下为10 μA
    动态参数:
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为33 nC,最大值为66 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):8 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):14 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):15~30 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):34~68 ns
    绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压(VGS):±30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):在10 V时为14.5 A(25°C)和9.2 A(100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):136 mJ
    - 最大功耗(PD):156 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55至+150°C
    热阻抗额定值:
    - 最大结点到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结点到外壳(漏极)热阻(RthJC):0.8°C/W

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低栅极电荷(Qg):可减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):降低驱动器所需的功率,减小干扰。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在25°C时,典型值为0.243 Ω,提供良好的功率处理能力。
    - 高雪崩耐受性:单脉冲雪崩能量达到136 mJ,确保在极端条件下的可靠性。
    - 优化设计:采用Super Junction技术,提高开关频率,降低导通损耗。
    这些特点使其在高性能计算、电源转换等领域中表现出色,提供了优异的可靠性和效率,具有较高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在PC银箱/ATX电源供应系统中作为关键的电力管理组件,有效地降低了整体系统的热损失,提高了效率。

    使用建议:
    - 建议使用散热器以保持温度在安全范围内。
    - 确保驱动电路和负载电路间有良好的接地平面,以降低干扰和噪声。
    - 在高开关频率应用中,考虑使用高速逻辑级驱动器,以充分利用其低栅极电荷的特点。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - IRFR460TRRPBF 支持与现有主流电源管理系统和计算机设备的兼容,如PC银箱/ATX电源供应系统。
    支持与维护:
    - VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,以帮助客户进行安装、调试和日常维护。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题与解决方案:
    - 问题1:开关速度过慢。
    - 解决办法:确保栅极电阻(Rg)足够小,以便快速充放电栅极电容。

    - 问题2:发热严重。
    - 解决办法:添加散热片或风扇,并确保良好的空气流通。
    - 问题3:输出电流不稳定。
    - 解决办法:检查连接线缆是否有损坏,确保接触良好,且负载分配均匀。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IRFR460TRRPBF MOSFET以其低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩耐受性和广泛的温度适应范围,使其成为高性能计算和电力转换应用的理想选择。其出色的性能和稳定性使其在市场上具备强大的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐IRFR460TRRPBF MOSFET用于需要高效、高可靠性电力转换的应用场合。无论是在计算机银箱还是工业电源系统中,这款产品都能提供卓越的表现。

IRFR460TRRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 290mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 14A
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR460TRRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR460TRRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR460TRRPBF-VB IRFR460TRRPBF-VB数据手册

IRFR460TRRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.6783
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