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32N50C3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: 32N50C3-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 32N50C3-VB

32N50C3-VB概述

    # 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    产品类型
    本产品是一款N-Channel 500V(D-S)超级结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为32N50C3-VB。它属于高压功率器件,设计用于高效能的开关电源、不间断电源及高频硬开关电路等应用。
    主要功能
    - 低栅极电荷(Qg),简化驱动要求。
    - 改进型门极耐久性、雪崩耐久性及动态dV/dt耐久性。
    - 零栅极电压下的漏电流控制。
    - 低导通电阻(RDS(on))。
    - 符合RoHS标准,环保且可回收。
    应用领域
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源
    - 高速功率开关
    - 硬开关及高频电路

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | - | 500 V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | - | 3.0 5.0 | V |
    | 零栅极电压漏电流(IDSS) | - | - 50 | μA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | - | 0.080 Ω |
    | 输入电容(Ciss) | - | - | 8310 pF |
    | 输出电容(Coss) | - | - | 960 pF |
    | 反向转移电容(Crss) | - | - | 120 pF |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):减少驱动电路复杂度,降低功耗。
    - 增强的耐用性:提高了门极、雪崩和动态dV/dt的耐久性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压电流特性:确保稳定可靠的操作。
    - 低导通电阻(RDS(on)):实现更高的效率和更低的发热。
    - 环保合规:符合RoHS指令,确保产品在环境保护方面的高标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 在开关模式电源(SMPS)中作为主控开关元件。
    2. 用于不间断电源系统中的关键组件。
    3. 在需要高速响应的应用中作为功率开关元件。
    使用建议
    - 在设计时考虑散热管理,避免过热导致的性能下降。
    - 确保驱动电路与MOSFET的匹配,以充分利用其低栅极电荷的优势。
    - 定期检测和维护电路,防止因长期使用而导致的老化问题。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品与大多数常见的电源管理系统兼容,可以无缝集成到现有的电路设计中。
    - 提供Super-247封装选项,便于安装和布局。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和技术支持。
    - 客户可联系服务热线400-655-8788获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路设计是否合理 |
    | 热失控 | 改善散热设计 |
    | 导通电阻过高 | 检查焊接质量和连接状况 |

    总结和推荐


    综合评估
    32N50C3-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有低栅极电荷、高雪崩耐久性和低导通电阻的特点。其广泛的应用范围和出色的性能使其成为许多电力电子系统的理想选择。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐此产品给需要高效能、低功耗解决方案的设计工程师。无论是用于工业控制还是消费电子产品,32N50C3-VB都能提供卓越的表现和可靠性。

32N50C3-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 2个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

32N50C3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

32N50C3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 32N50C3-VB 32N50C3-VB数据手册

32N50C3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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