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3N90G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 3N90G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N90G-TA3-T-VB

3N90G-TA3-T-VB概述

    N-Channel 900V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 900V (D-S) Super Junction MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(FET),适用于高电压和高频应用。这款产品广泛应用于工业控制、电机驱动、电源转换和通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 栅源击穿电压:VDS = 900 V
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 2.0 - 4.0 V
    - 漏源导通电阻:RDS(on) (VGS = 10 V) = 1.3 Ω
    - 总栅极电荷:Qg = 200 nC
    - 门极-源极电荷:Qgs = 24 nC
    - 门极-漏极电荷:Qgd = 110 nC
    - 最大连续漏极电流:ID = 3.9 A (TC = 100 °C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 21 A
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55 to +150 °C
    - 高频响应:内部源电感 LS = 13 nH,内部漏电感 LD = 5.0 nH

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:能够在高速开关应用中保持稳定性能。
    - 重复雪崩额定值:具有高可靠性,在恶劣环境下也能正常工作。
    - 隔离中央安装孔:简化安装过程,增强机械稳定性。
    - 快速切换:适用于高频应用,提高效率。
    - 并联容易:便于多个器件并联使用,提升整体性能。
    - 简单驱动要求:减少外部电路复杂度,降低功耗。
    - 符合RoHS标准:环保设计,满足欧盟RoHS指令。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于多种高压高频应用场合,例如:
    - 电机驱动:提供高效能驱动,确保电机平稳运行。
    - 电源转换:在高频逆变器和转换器中使用,提升转换效率。
    - 工业控制:适用于各种工业控制系统中的高压信号处理。
    使用建议:
    - 确保散热系统能够有效降低工作温度,避免过热损坏。
    - 注意电路布局,减少杂散电感的影响。
    - 选择合适的驱动电路,以确保快速且稳定的开关特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有标准接口兼容,可直接替换传统器件。
    - 支持和维护:厂商提供全面的技术支持,包括应用指导和技术文档。如遇问题,可通过服务热线联系技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开关过程中发热严重。
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如增加散热片或采用水冷系统。
    - 问题2:开关速度慢。
    - 解决办法:检查驱动电路,确认电感、电阻等参数设置正确。
    - 问题3:输出电流不稳定。
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,确保无虚焊、短路等情况。

    7. 总结和推荐


    总体而言,N-Channel 900V (D-S) Super Junction MOSFET 是一款性能卓越、适用广泛的器件。其快速切换、高可靠性和易用性使其成为众多高电压应用的理想选择。我们强烈推荐在涉及高压高频应用的场景中使用该产品。

3N90G-TA3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
配置 -
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

3N90G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N90G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N90G-TA3-T-VB 3N90G-TA3-T-VB数据手册

3N90G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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