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FCD380N60E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: FCD380N60E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCD380N60E-VB

FCD380N60E-VB概述


    产品简介


    FCD380N60E 是一款适用于服务器和电信电源供应系统的N沟道650V超级结功率MOSFET。这款MOSFET具有低通态电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),使其在开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(如高强放电灯和荧光灯)中表现出色。此外,它也广泛应用于工业领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V
    - 最大漏源通态电阻 (RDS(on)):0.42Ω @ 25°C,VGS=10V
    - 总栅极电荷 (Qg):38nC
    - 输入电容 (Ciss):680pF
    - 输出电容 (Coss):不详
    - 反向传输电容 (Crss):不详
    - 连续漏电流 (ID):11A @ 25°C
    - 脉冲漏电流 (IDM):55A
    - 雪崩能量 (EAS):132mJ
    - 最高功耗 (PD):83W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低通态电阻:RDS(on) 的低值显著降低了导通损耗,使得在大功率应用中能够实现高效的能量转换。
    - 低输入电容:Ciss 较低,有助于减少门极驱动电路的功耗和提高开关速度。
    - 快速恢复二极管:内置的体二极管具有较短的反向恢复时间和较低的反向恢复电荷,减少了反向恢复过程中的能量损失。
    - 超低栅极电荷:Qg 的减小使驱动功耗更低,且提升了高频操作的性能。
    - 高可靠性:通过严格的温度和电流测试,确保在恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应:用于高效的电压调节和负载管理。
    - 照明系统:适用于高强放电灯和荧光灯的电源转换,提供高效率和长寿命。
    - 工业应用:用于各种电力控制系统,如电机驱动和逆变器。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,需要注意Qg的影响,以避免过高的驱动功耗。
    - 需要充分散热以防止过热导致的性能下降。建议采用良好的散热设计,例如使用散热片或液冷系统。
    - 为了确保最佳性能,应合理设置驱动电路的参数,如栅极电阻(Rg)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与市场上主流的开关电源和驱动电路兼容,可方便集成于各类电子产品中。
    - 支持和服务:台湾VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档、参考设计和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致性能下降。
    解决方案:采用有效的散热措施,如散热片或液冷系统,确保工作温度低于150°C。

    - 问题:驱动电路无法正常启动。
    解决方案:检查驱动电路参数,确保合适的栅极电阻(Rg)和电压水平。

    总结和推荐


    FCD380N60E是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,具备优秀的电气特性和宽泛的工作温度范围,特别适合于服务器、电信设备、工业控制和其他高压应用领域。凭借其低通态电阻、低输入电容和快速恢复二极管的特点,该产品能够显著提升系统的整体能效。台湾VBsemi提供的详尽文档和支持,确保用户能够轻松地进行设计和调试。因此,强烈推荐在高压电源转换和控制应用中使用该产品。

FCD380N60E-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FCD380N60E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCD380N60E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCD380N60E-VB FCD380N60E-VB数据手册

FCD380N60E-VB封装设计

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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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型号 价格(含增值税)
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