处理中...

首页  >  产品百科  >  FCA36N60NF-VB

FCA36N60NF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种需要高功率和精确控制的工业驱动系统,如大型机械设备的电机控制。
供应商型号: FCA36N60NF-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCA36N60NF-VB

FCA36N60NF-VB概述

    # FCA36N60NF-VB N-Channel 600V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCA36N60NF-VB 是一款 N-Channel 超级结功率 MOSFET,专为高要求的应用设计。它具有低栅极电荷(Qg)、低输入电容(Ciss)以及减小的开关和导通损耗等显著特点。这些特性使得 FCA36N60NF-VB 在多种工业和消费电子领域得到广泛应用,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业应用中的焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源等领域。

    技术参数


    以下是 FCA36N60NF-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压(VDS): 600V(在 TJ max. 条件下)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.06Ω(在 VGS = 10V 条件下,25°C)
    - 最大总栅极电荷(Qg max.): 273nC
    - 栅源电荷(Qgs): 46nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 79nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): TC = 25°C 时 47A;TC = 100°C 时 30A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 1410mJ
    - 最大功率耗散(PD): 415W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg)和 低输入电容(Ciss)使得该器件具有更高的开关速度和更少的能量损失。
    - 减小的开关和导通损耗,有助于提高效率并降低热量产生。
    - 超强结型结构保证了高耐压能力和长期可靠性。
    - 重复雪崩能量(UIS)评级确保其在恶劣环境下能够稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应系统:该器件能够承受高电压并具有低损耗,非常适合用于服务器电源系统的高性能需求。
    - 照明系统:由于具有良好的高频特性,它能够有效地应用于 HID 和荧光灯镇流器中。
    - 工业应用:包括焊接、感应加热、电机驱动和电池充电器在内的多种工业设备都可以利用该器件进行高效控制。
    使用建议
    - 在高频率应用中,需要考虑散热管理,确保最佳工作温度以避免过热。
    - 为了进一步提升效率,可以结合合适的门极驱动电路来减少开关损耗。
    - 确保正确的 PCB 布局,以减少寄生电感和杂散电容,从而提高整体性能。

    兼容性和支持


    FCA36N60NF-VB 具有较强的兼容性,能够与其他标准电子元件配合使用。制造商提供详细的文档和支持服务,确保用户在安装和使用过程中获得充分的技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:过高的栅源电压导致器件损坏
    解决方案:确保 VGS 不超过 ±30V 的绝对最大额定值。在设计电路时加入保护电路,如 TVS 二极管。
    问题2:器件发热严重
    解决方案:增加适当的散热措施,如使用散热片或风扇,优化电路布局以降低功耗。
    问题3:门极驱动信号不稳定
    解决方案:确保门极驱动信号质量,使用专用的门极驱动芯片以减少噪声干扰。

    总结和推荐


    FCA36N60NF-VB N-Channel 600V MOSFET 以其高可靠性和高效能在市场上脱颖而出。它的低损耗特性使其成为多种应用的理想选择。虽然在使用过程中需要注意散热管理和门极驱动信号的稳定性,但这些问题通过适当的设计和布局可以得到有效解决。因此,我强烈推荐这款 MOSFET 用于各种高要求的应用场合。

FCA36N60NF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 47A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCA36N60NF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCA36N60NF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCA36N60NF-VB FCA36N60NF-VB数据手册

FCA36N60NF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 26.9098
100+ ¥ 24.9165
500+ ¥ 22.9232
900+ ¥ 21.9265
库存: 30000
起订量: 1 增量: 300
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 26.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336