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FCA20N60S_F109-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: FCA20N60S_F109-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCA20N60S_F109-VB

FCA20N60S_F109-VB概述

    FCA20N60S-F109-VB N-Channel 600V Super Junction MOSFET

    产品简介


    FCA20N60S-F109-VB 是一款N沟道600V超级结MOSFET,具有出色的电气特性和较低的损耗。该产品主要用于电信、照明、消费及计算、工业和可再生能源等多个领域的电源转换应用。例如,它可以应用于服务器和电信电源供应、高强度放电(HID)和荧光灯球泡照明、ATX电源供应、焊接设备、电池充电器以及光伏逆变器等。

    技术参数


    - 最大漏源电压:600V
    - 栅源阈值电压:2V 至 4V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):13A
    - 脉冲漏极电流:53A
    - 最大功率耗散:208W
    - 最大单次脉冲雪崩能量:367mJ
    - 正向二极管连续源极-漏极电流:21A
    - 输入电容(Ciss):2322pF
    - 输出电容(Coss):105pF
    - 总栅极电荷(Qg):10nC
    - 开关延迟时间(td(on)):22ns
    - 上升时间(tr):34ns
    - 反向恢复时间(trr):160ns

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低至10nC的总栅极电荷,有助于减少开关损耗。
    2. 快速反向恢复时间:反向恢复时间为160ns,显著降低了反向恢复损耗。
    3. 低输入电容:Ciss为2322pF,减少了驱动功率。
    4. 高可靠性:采用超结结构,提供600V的高耐压能力。
    5. 低热阻抗:RthJA为62°C/W,保证了良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    1. 电信应用:用于服务器和电信电源供应。建议使用适当的散热措施以避免过热。
    2. 照明应用:用于高强度放电(HID)和荧光灯球泡照明。在高功率应用中需要额外注意散热设计。
    3. 消费及计算应用:适用于ATX电源供应。由于功率较大,建议采用优质的电路板设计和良好的散热系统。
    4. 工业应用:如焊接设备和电池充电器。在高温环境下使用时需要注意散热。
    5. 可再生能源应用:适用于太阳能光伏逆变器。应考虑使用高效散热系统以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    FCA20N60S-F109-VB 可以轻松与其他标准电子元器件兼容。VBsemi公司提供了详细的技术文档和支持,以帮助用户在应用过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的栅源电压?
    答:确保栅源电压不超过±30V的额定值,使用合适的栅极电阻来限制电流。

    2. 问:反向恢复时间过长怎么办?
    答:通过优化电路布局减少寄生电感,可以改善反向恢复时间。
    3. 问:如何提高功率密度?
    答:选择具有良好散热性能的产品,并进行有效的散热设计。

    总结和推荐


    FCA20N60S-F109-VB N-Channel 600V Super Junction MOSFET 在众多领域中表现出色,特别是在电信、照明、消费及计算、工业和可再生能源等领域。它的低损耗特性、快速开关能力和良好的热稳定性使其成为高效电源转换应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的应用。
    如有任何疑问,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

FCA20N60S_F109-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCA20N60S_F109-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCA20N60S_F109-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCA20N60S_F109-VB FCA20N60S_F109-VB数据手册

FCA20N60S_F109-VB封装设计

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