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FDT3N40TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在汽车电子系统中,如车载电源管理、车灯控制等方面有应用。
供应商型号: FDT3N40TF-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDT3N40TF-VB

FDT3N40TF-VB概述

    FDT3N40TF Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDT3N40TF 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理、电机驱动和高频开关应用。其低门极电荷特性使得驱动简单,同时具备优越的抗栅极、雪崩及动态 dv/dt 稳健性。这款 MOSFET 完全符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 \( V{GS} \): \( \pm 30 \) V
    - 击穿电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 零门电压漏电流 \( I{DSS} \): \( V{DS} = 650 \) V 时为 25 μA
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \): \( V{GS} = 10 \) V 时为 3.0 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 16 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 325 mJ
    - 反复雪崩电流 \( I{AR} \): 4 A
    - 反复雪崩能量 \( E{AR} \): 6 mJ
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): \( V{GS} = 10 \) V 时为 2.1 Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): \( V{GS} = 0 \) V,\( V{DS} = 25 \) V,\( f = 1.0 \) MHz 时为 1417 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 177 pF
    - 有效输出电容 \( C{oss eff} \): \( V{DS} = 0 \) V 到 520 V 时为 84 pF
    - 其他参数
    - 最大功耗 \( PD \): 60 W
    - 最高工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:简化驱动电路设计。
    2. 高耐压能力:击穿电压高达 650 V,适用于高压应用。
    3. 优良的抗雪崩性能:单脉冲雪崩能量达 325 mJ,反复雪崩能量为 6 mJ。
    4. 罗氏标准合规:完全符合 RoHS 2002/95/EC 指令。

    应用案例和使用建议


    FDT3N40TF 在电机驱动和电源转换中表现卓越。例如,在需要高可靠性和稳定性的电动机控制系统中,这款 MOSFET 能提供稳定的电流控制和高效的能量转换。使用时建议注意散热管理,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDT3N40TF 采用 SOT-223 封装,广泛适用于各种高电压电路板设计。
    - 支持信息:台湾 VBsemi 有限公司提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利应用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过载情况下出现异常高温。
    - 解决方案:优化散热设计,增加外部散热器,减少功耗。
    2. 问题:启动电流过高。
    - 解决方案:检查电路布局,降低电路杂散电感,确保良好的接地。

    总结和推荐


    总体而言,FDT3N40TF 功率 MOSFET 以其出色的电气特性和可靠性,成为电源管理和电机驱动应用的理想选择。它不仅满足高标准的技术要求,还具有良好的市场竞争力。对于需要高电压、高效能应用的用户来说,FDT3N40TF 是一个非常值得推荐的产品。

FDT3N40TF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω(mΩ)
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDT3N40TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDT3N40TF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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FDT3N40TF-VB封装设计

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