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IXTX110N20L2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=200V;ID =96A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=4V;适用于工业电机驱动器中的功率开关电路,如变频器、电机控制器等设备的电源管理模块。
供应商型号: IXTX110N20L2-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTX110N20L2-VB

IXTX110N20L2-VB概述

    IXTX110N20L2-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    IXTX110N20L2-VB 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高耐压和大电流处理能力,是高性能电源转换和驱动应用的理想选择。它的主要功能包括极低的导通电阻(RDS(on))和高可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能。它广泛应用于不间断电源(UPS)、交流/直流开关模式电源供应器(AC/DC SMPS)、照明系统、同步整流、DC/DC 转换器、电机驱动器开关、DC/AC 逆变器、微型太阳能逆变器以及 Class D 音频放大器等领域。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):200 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 最大连续漏电流 (ID):96 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):240 A
    - 单次雪崩能量 (EAS):180 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):25°C 时为 375 W,125°C 时为 125 W
    - 工作结温及存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C
    - 热阻抗 (RthJA):40 °C/W(板载安装)
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):≤ 1 μA(VDS = 200 V,TJ = 125°C 时 ≤ 150 μA)
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V,ID = 30 A 时为 0.021 Ω,在 VGS = 7.5 V,ID = 30 A 时为 0.025 Ω
    - 反向恢复时间 (trr):IF = 30 A,di/dt = 100 A/μs 时为 160 至 320 ns
    - 总栅极电荷 (Qg):64 nC

    3. 产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术:这种专有的技术提供了高效率和低功耗,使 IXTX110N20L2-VB 在恶劣的工作环境中依然能够保持卓越的性能。
    - 高耐温性:175°C 的最大结温使其能够在高温环境下稳定运行,适用于各种工业和汽车应用。
    - 高可靠性和稳定性:经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保了其在长时间运行下的高可靠性和稳定性。
    - 紧凑设计:TO-247AC 封装形式适合多种电路板布局需求,便于集成到不同的设备中。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换:在不间断电源(UPS)中,IXTX110N20L2-VB 可以作为关键组件,提高系统的整体效率和可靠性。
    - 电机驱动:在电机驱动器中,其高耐压和低导通电阻特性可以有效减少功率损耗,延长电机寿命。
    - 音频放大器:在 Class D 音频放大器中,其优秀的高频响应和低失真特性使得音质更为纯净清晰。
    使用建议:
    - 确保电路的设计符合产品手册中的电气特性要求,避免超载运行。
    - 在进行散热设计时,考虑其 40°C/W 的热阻抗,确保良好的散热效果。
    - 注意栅极驱动电路的设计,避免过高的 VGS 导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IXTX110N20L2-VB 与多种 PCB 板材兼容,尤其适合在 1" x 1" 的 FR4 材料上使用。
    - 技术支持:VBsemi 提供全方位的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中得到及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极驱动不当导致门限电压异常。
    - 解决方案:检查并调整驱动电路,确保驱动电压在推荐范围内(±20 V)。

    - 问题:温度过高导致产品失效。
    - 解决方案:增加散热片,改善散热条件;确保散热设计符合产品手册中的要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXTX110N20L2-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力转换和驱动应用。其卓越的性能、广泛的适用性和全面的支持使其成为市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用场景中使用此产品。
    如有进一步技术疑问或采购需求,欢迎联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788。

IXTX110N20L2-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 96A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTX110N20L2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTX110N20L2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTX110N20L2-VB IXTX110N20L2-VB数据手册

IXTX110N20L2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 12.2257
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