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8N65M5-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=390mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于LED照明驱动器和开关电源模块,以实现高效、可靠的LED照明系统。
供应商型号: 8N65M5-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N65M5-VB TO220F

8N65M5-VB TO220F概述


    产品简介


    8N65M5-VB N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    8N65M5-VB是一款高性能的N沟道700V超级结功率MOSFET,适用于多种高功率应用场合。该器件采用TO-220全封装形式,具有低栅极电荷、低输入电容和超低导通电阻等优点。这些特性使其成为服务器、电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统中的理想选择。此外,它还广泛应用于工业领域。

    技术参数


    以下是该器件的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):700V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):25A
    - 脉冲漏极电流 (限于最大结温):132mJ
    - 最大功率耗散 (PD):83W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):80°C/W
    - 典型输出电容 (Coss):113pF(时间相关)
    - 典型总栅极电荷 (Qg):56nC(VGS = 10V,ID = 5A,VDS = 520V)
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):0.5Ω(VGS = 10V,ID = 5A)

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):仅需少量电荷即可驱动,有助于降低开关损耗。
    2. 低输入电容 (Ciss):减少了电路中寄生电容的影响,改善了高频性能。
    3. 超低导通电阻 (RDS(on)):确保在大电流下依然能够保持低功耗。
    4. 重复性脉冲能量 (EAS):具有优异的耐受能力,可在高能量脉冲环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    该器件已在多种应用中得到验证,例如服务器和电信电源、SMPS和PFC电源等。对于高强度放电灯和荧光灯的控制,它也表现出色。使用时,建议结合具体应用要求选择合适的驱动电路和散热措施。例如,在高频切换环境中,可以通过优化驱动电阻来减少开关损耗;在高功率应用中,应注意散热设计以避免过热问题。

    兼容性和支持


    该器件与大多数常见的电源管理系统兼容。制造商提供了详细的技术文档和客户支持,以帮助用户正确使用和维护产品。若需进一步的技术咨询或售后服务,请联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品安装后出现过热现象。
    - 解决方法:检查散热片安装是否正确,必要时增加散热片面积或更换更高效的散热器。

    2. 问题:驱动信号不稳定导致开关异常。
    - 解决方法:检查驱动电路是否接线正确,确保使用适当阻值的栅极电阻。
    3. 问题:产品启动时发现无输出电流。
    - 解决方法:确认接线是否正确,检查电源电压是否达到阈值。

    总结和推荐


    综上所述,8N65M5-VB是一款高性能的N沟道700V超级结功率MOSFET,具有优异的电气特性和可靠性。适用于各种高功率应用场合,特别是需要快速开关响应和低导通损耗的应用场景。鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用这款产品。对于具体应用需求,请参考技术手册中的详细指导。

8N65M5-VB TO220F参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 700V
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

8N65M5-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N65M5-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N65M5-VB TO220F 8N65M5-VB TO220F数据手册

8N65M5-VB TO220F封装设计

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