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IRF3707ZL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=30V;ID =90A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适合用于需要大电流和低压降的场合。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于高频率和高功率的电路应用。
供应商型号: IRF3707ZL-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3707ZL-VB

IRF3707ZL-VB概述

    IRF3707ZL-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF3707ZL-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道30V MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。该器件具有出色的性能和稳定性,广泛应用于服务器、电源管理(如OR-ing)、DC/DC转换等领域。

    技术参数


    以下是IRF3707ZL-VB的主要技术参数:
    - 电压等级: VDS = 30 V
    - 栅源电压范围: VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流: ID = 90 A (25 °C),65 A (70 °C)
    - 脉冲漏极电流: IDM = 300 A
    - 反向恢复时间: trr = 52-78 ns
    - 反向恢复电荷: Qrr = 70.2-105 nC
    - 导通电阻: RDS(on) = 0.0034 Ω @ VGS = 10 V,ID = 20 A;RDS(on) = 0.0070 Ω @ VGS = 4.5 V,ID = 20 A
    - 阈值电压: VGS(th) = 1.5-2.5 V
    - 输入电容: Ciss = 3500 pF
    - 输出电容: Coss = 1725 pF
    - 零栅电压漏极电流: IDSS ≤ 1 μA

    产品特点和优势


    IRF3707ZL-VB的主要特点是采用了先进的TrenchFET®工艺,具备低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。其独特之处在于:
    - 高电流能力:最大连续漏极电流可达90 A。
    - 快速开关性能:低输入和输出电容有助于提高开关速度,减少能量损耗。
    - 优异的温度稳定性:能够在宽广的工作温度范围内保持稳定的性能。
    - 符合RoHS标准:确保环保且可广泛使用。

    应用案例和使用建议


    IRF3707ZL-VB被广泛用于各种应用场景,例如服务器电源管理、OR-ing电路、DC/DC转换器等。根据手册中的应用场景,可以提出以下使用建议:
    - 在高功率密度的应用中,应考虑增加散热措施以确保长时间稳定运行。
    - 为避免热失控,建议根据负载情况合理选择工作频率,降低功耗。
    - 在高频开关应用中,应注意寄生电容的影响,选用合适的驱动电路。

    兼容性和支持


    IRF3707ZL-VB采用TO-262封装,便于表面贴装。该器件与大多数标准直流电源管理电路兼容。制造商提供详细的技术支持,包括在线资源、样品请求和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方案:
    - 问题: 高温环境下器件过热
    - 解决方案: 使用适当的散热器或改进散热设计。
    - 问题: 开关损耗大
    - 解决方案: 减少开关频率或改善驱动电路以降低损耗。
    - 问题: 漏电流过高
    - 解决方案: 检查电路布局,确保正确连接和布线。

    总结和推荐


    IRF3707ZL-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻、快速开关特性和良好的温度稳定性使其在市场上具备强大的竞争力。我们强烈推荐这款产品给需要高性能电源管理解决方案的设计者和工程师们。

IRF3707ZL-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 90A
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3707ZL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3707ZL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF3707ZL-VB IRF3707ZL-VB数据手册

IRF3707ZL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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