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18NM80-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=800V;ID =20A;RDS(ON)=205mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
供应商型号: 18NM80-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 18NM80-VB TO220F

18NM80-VB TO220F概述


    产品简介


    产品名称:18NM80-VB TO220F N-Channel MOSFET
    产品类型:N沟道超级结功率场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:18NM80-VB 是一款高耐压(800V)的N沟道超级结MOSFET,具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯HID和荧光灯)
    - 工业应用

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | - | 800 | V |
    | 门源电压(VGS) | ±30 | - | - | V |
    | 连续漏电流(TJ=150°C)| 25 °C 时 | 15 A | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | - | 691 | mJ |
    | 最大功耗(PD) | - | - | 250 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 | +150 | +150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低优值系数(FOM):Ron x Qg 的低值有助于减少电路中的损耗。
    2. 低输入电容(Ciss):降低栅极驱动损耗,加快开关速度。
    3. 减少开关和导通损耗:超低栅极电荷(Qg),适用于高频应用。
    4. 重复脉冲能力:最大单脉冲雪崩能量为691mJ,适用于重载应用。
    5. 良好的热稳定性:热阻抗较低,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源:这款MOSFET的高耐压和低导通电阻特性使其适合用于高可靠性要求的应用场合。
    2. 照明系统:特别是在高强度放电灯(HID)和荧光灯的应用中,这款MOSFET的低损耗特性可以显著提高效率。
    3. 工业应用:可用于各种工业控制设备中,以实现高效能和可靠的操作。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,要注意散热设计以防止过热。
    - 在设计电源电路时,应考虑输入电容(Ciss)对开关性能的影响,合理选择其他相关组件。

    兼容性和支持


    兼容性:18NM80-VB TO220F 与大多数标准电源转换器兼容,可应用于多种类型的电源设计。
    支持和服务:
    - 客户可以通过400-655-8788联系台湾VBsemi公司获取技术支持和售后服务。
    - 厂商提供全面的技术文档和在线资源,方便客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度过高导致MOSFET损坏
    - 解决方案:确保散热良好,安装适当的散热片并监控工作温度。
    2. 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查电路布局和组件选择,特别是输入电容和栅极电阻的选择。
    3. 问题:无法达到预期的功率输出
    - 解决方案:检查电源输入电压和负载条件,确保系统配置正确。

    总结和推荐


    综合评估:18NM80-VB TO220F N-Channel MOSFET是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,具有低导通电阻、低损耗和良好的热稳定性。其广泛的应用领域使其成为许多工业和商业应用的理想选择。
    推荐使用:鉴于其优良的性能和可靠性,强烈推荐在服务器、电信、照明和工业控制等领域使用18NM80-VB TO220F MOSFET。对于需要高效率和高可靠性的电源设计,此产品无疑是一个优秀的解决方案。

18NM80-VB TO220F参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 800V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 205mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
配置 -
通道数量 1
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

18NM80-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

18NM80-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 18NM80-VB TO220F 18NM80-VB TO220F数据手册

18NM80-VB TO220F封装设计

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