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JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
供应商型号: JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB

JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB概述

    JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明等领域。该产品以其低导通电阻(RDS(on))、高可靠性及卓越的电气特性,广泛应用于工业控制、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源系统等场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 700 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.23 | - | Ω |
    | 输出电荷 | Qg | - | 24 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qg(s) | - | 6 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qg(d) | - | 11 | - | nC |
    | 额定单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 286 | - | mJ |
    | 连续漏极电流(TJ=150℃) | ID | - | 15 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 45 | A |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 180 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:该产品具有极低的导通电阻(RDS(on)),能够在高压环境下实现低损耗运行。
    2. 低输入电容:低输入电容(Ciss)有助于减少开关损耗,提升系统的整体效率。
    3. 低栅极电荷:超低的栅极电荷(Qg)可以进一步降低开关损耗,提高系统的动态性能。
    4. 高可靠性:Avalanche能量等级确保了其在高压下的稳定性和可靠性。
    5. 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的宽工作温度范围使其适合多种恶劣环境的应用。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:由于其高可靠性,JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB 可用于关键性的电信和数据中心电源系统,以确保稳定供电。
    - 开关模式电源(SMPS):其高效率和低损耗特性使它非常适合用于SMPS,能够提供稳定的输出电压。
    - 焊接和感应加热:在焊接和感应加热等工业应用中,该产品的高可靠性及抗浪涌电流能力能够确保系统稳定运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到其高频特性,应尽量减小引线长度以避免寄生电感的影响。
    - 为防止瞬态电压冲击,建议增加保护电路,如齐纳二极管或TVS二极管。

    兼容性和支持


    JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB 与其他常见的电子元器件兼容,可以在广泛的电路配置中使用。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持和售后维护服务,包括详细的文档资料和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定栅极驱动电压?
    - 解答:对于逻辑电平器件,建议使用5V的栅极驱动电压。具体数值需根据实际情况调整。
    2. 问题:最大允许的工作温度是多少?
    - 解答:最大允许的工作温度为150℃。超过此温度可能导致器件损坏,需要采取散热措施。
    3. 问题:如何测试产品的击穿电压?
    - 解答:可以通过标准的击穿电压测试电路来测量,需要注意的是测试过程中需要控制温度和其他环境因素。

    总结和推荐


    JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB 是一款高度可靠的N沟道超级结功率MOSFET,具有低导通电阻、低输入电容和超低栅极电荷的特点,适用于各种高压和高效率要求的应用场合。其优异的电气特性和宽泛的工作温度范围使其成为众多工业领域的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电源管理电路中使用该产品。

JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB数据手册

JCS20N60ANH-O-AN-N-B-VB封装设计

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