处理中...

首页  >  产品百科  >  80N40DG-VB TO262

80N40DG-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=40V;ID =100A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 80N40DG-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 80N40DG-VB TO262

80N40DG-VB TO262概述

    80N40DG-VB TO262 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    80N40DG-VB 是一款 N 沟道 40V(D-S)175°C 耐高温沟槽式功率 MOSFET,由 VBsemi 生产。这类器件广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制和其他需要高可靠性和稳定性的场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压:40V (D-S)
    - 连续漏极电流:110A (TJ = 175°C)
    - 最大脉冲漏极电流:300A
    - 重复雪崩能量:125mJ
    - 最大功耗:150W
    - 热阻:RthJA = 40°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供高阈值电压和高耐温性能,确保在高温环境下仍然保持稳定的工作状态。
    - 高可靠性:具有出色的热稳定性,能够承受高达 175°C 的结温,适合在恶劣环境中长期运行。
    - 低导通电阻:在 10V 门源电压下,导通电阻低至 0.005Ω,保证高效的能量转换效率。

    4. 应用案例和使用建议


    80N40DG-VB MOSFET 可用于多种应用场景,例如:
    - 电源转换:适合高频开关电源的设计,如 LED 驱动器、适配器等。
    - 电机驱动:适用于工业控制系统中的电机驱动电路。
    - 汽车电子:可用于汽车的照明系统、空调控制等需要耐温性能的场景。
    使用建议:
    - 确保在设计时考虑器件的最大功耗和散热需求,以避免过热损坏。
    - 在实际应用中,要注意电源管理,合理配置栅极电阻,防止过度激励造成损伤。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与标准 TO-262 封装兼容,易于安装和更换。
    - VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指导和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何处理过温保护?
    - 解决办法:在设计电路时加入温度监控和保护机制,确保温度不超过器件的额定值。

    - 问题二:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决办法:根据实际需求选择合适大小的栅极电阻,一般推荐 1Ω 到 2.5Ω 之间,具体值需根据电路特性调整。

    7. 总结和推荐


    综上所述,80N40DG-VB TO262 MOSFET 具有优秀的性能参数和耐用性,特别适合于工业和汽车应用中。其低导通电阻和高耐温性能使其在各种苛刻环境中表现出色。强烈推荐给对产品质量和可靠性要求较高的客户。
    如果您有任何进一步的技术疑问或需求,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788,我们将竭诚为您服务。

80N40DG-VB TO262参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

80N40DG-VB TO262厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

80N40DG-VB TO262数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 80N40DG-VB TO262 80N40DG-VB TO262数据手册

80N40DG-VB TO262封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831