处理中...

首页  >  产品百科  >  40P03GI-VB

40P03GI-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;P沟道;VDS=-30V;ID =-55A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于电源管理、电动车辆控制、电焊设备和家用电器等领域,能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
供应商型号: 40P03GI-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 40P03GI-VB

40P03GI-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET: 40P03GI-VB

    1. 产品简介


    40P03GI-VB 是一款P沟道功率场效应晶体管(P-Channel MOSFET),专门设计用于满足各种高可靠性应用的需求。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和出色的热性能,适用于多种工业、汽车和消费电子产品中的电源管理及开关控制场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 30V
    - 最大连续漏极电流:ID(TC) = -45A(TJ = 175°C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = -260A
    - 最大雪崩电流:IAR = -55A
    - 重复雪崩能量:EAR = 190mJ(L = 0.1mH)
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C至+175°C
    - 最大热阻:RthJA = 62.5°C/W(TO-220AB封装)
    - 热阻抗:RthJC = 0.8°C/W(TO-220AB封装)

    3. 产品特点和优势


    - RoHS合规性:该器件完全符合RoHS指令2002/95/EC的要求,确保无铅化生产。
    - 高可靠性:能够承受高达±20V的栅极-源极电压,同时保证高击穿电压和低栅极泄漏电流。
    - 低导通电阻:在VGS = -10V时,RDS(on)可低至0.01Ω,适合高效率应用。
    - 优秀的热性能:具备良好的散热能力,能有效降低功耗和温升。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和快速开关特性,可以提高电源转换效率。
    - 电机驱动:由于具有较高的雪崩耐受能力和低导通电阻,适用于各类电机驱动系统。
    - 直流-直流转换器:适合作为关键的开关元件,实现高效的电压转换。
    使用建议:
    - 确保电路板设计中充分考虑热管理和散热措施,以避免过热损坏。
    - 配合合适的栅极驱动器使用,以确保快速可靠的开关操作。
    - 在极端温度条件下使用时,需考虑散热和热保护设计,防止过热导致性能下降或损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:40P03GI-VB与标准的TO-220F封装兼容,便于替换现有的类似器件。
    - 支持:供应商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到的问题得到及时解决。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1:产品在高温环境下运行时性能如何变化?
    - A1:请参考数据表中的RDS(on) vs. Junction Temperature图表,了解不同温度下的导通电阻变化情况。在极端温度下,需要采取额外的散热措施以保持性能稳定。

    - Q2:如何判断栅极-源极电压是否正确?
    - A2:通过万用表测量栅极和源极之间的电压。确保该电压不超过±20V,否则可能对器件造成永久性损伤。

    7. 总结和推荐


    综上所述,40P03GI-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,尤其适合应用于需要高效率、高功率密度的应用场景。其卓越的性能指标和广泛的适用性使其成为电子工程师在电源管理及其他相关领域中的理想选择。强烈推荐在高要求的应用中使用该产品,以充分发挥其优异性能。

40P03GI-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 55A
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

40P03GI-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

40P03GI-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 40P03GI-VB 40P03GI-VB数据手册

40P03GI-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 37.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831