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VBE14R02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=400V;ID =2A;RDS(ON)=3500mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;通过其高电压处理能力和适中的电流控制,能够在各种高压电源管理和控制应用中提供可靠的性能和高效的操作。
供应商型号: VBE14R02 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE14R02

VBE14R02概述


    产品简介


    Power MOSFET
    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用的电子元器件,主要用于电力转换系统、电源管理和电机控制等领域。本文档中的Power MOSFET型号为VBE14R02,其主要功能是实现高效开关操作,能够承受重复雪崩击穿,并且具备良好的动态dv/dt特性。VBE14R02尤其适用于需要快速开关、并联操作简单且易于驱动的应用场景。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 400V
    - 通态电阻 \( R{DS(on)} \): \( V{GS}=10V \)时为3.5Ω
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 最大值为17nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 3.4nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 8.5nC
    - 额定电流 \( I{D} \): 2.0A(在25°C时)
    - 脉冲电流 \( I{DM} \): 6.0A
    - 复合雪崩能量 \( E{AS} \): 120mJ
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 400V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 最大功耗 \( PD \): 36W(在25°C时)
    - 工作温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55°C 至 +150°C
    - 工作条件:
    - 线性降额因子:0.29W/°C
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 120mJ
    - 反复雪崩电流 \( I{AR} \): 2.0A
    - 反复雪崩能量 \( E{AR} \): 3.6mJ

    产品特点和优势


    - 高可靠性:可承受重复雪崩击穿。
    - 快速开关:具有出色的动态dv/dt特性,适合高速开关应用。
    - 易并联操作:设计简化了并联操作,提高了系统的可靠性和效率。
    - 简单驱动要求:低栅极驱动电压需求,使得驱动电路的设计更为简单。

    应用案例和使用建议


    VBE14R02可以广泛应用于各种电源转换系统,例如DC-DC转换器、电池充电器以及电机驱动等。特别是在需要快速开关和高效率的应用中,如光伏逆变器、服务器电源模块等,VBE14R02表现出色。
    使用建议:
    - 散热管理:在高频开关条件下,需要注意有效散热,避免过热导致器件损坏。
    - 布局考虑:为了减少寄生电感,应选择低阻抗路径进行布线,并使用接地平面来提高信号完整性。
    - 驱动电路设计:选择合适的驱动电阻以确保适当的开关速度,同时防止过高dv/dt引起的电压振荡。

    兼容性和支持


    VBE14R02采用标准的TO-252封装,兼容大多数PCB布局设计工具,便于集成到现有系统中。制造商提供了详细的电气特性和物理尺寸参数,帮助用户轻松进行选型和装配。此外,技术支持团队随时准备解决任何相关问题,确保用户的成功应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中过热
    - 解决方案: 增加散热措施,如使用散热片或者散热风扇。

    2. 问题: dv/dt过高导致电磁干扰
    - 解决方案: 使用低dv/dt控制器降低dv/dt值,或在电路中增加去耦电容以滤除高频噪声。

    3. 问题: 栅极驱动电流不足
    - 解决方案: 使用更大容量的驱动电路,或者增加栅极电阻以限制栅极驱动电流。

    总结和推荐


    总结:
    VBE14R02作为一款高性能的Power MOSFET,其卓越的电气特性和可靠的性能使其成为许多电力电子应用的理想选择。该器件在高温环境下的稳定工作表现以及出色的开关速度,使其特别适用于需要高效率和高可靠性的场合。
    推荐:
    鉴于其优良的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐VBE14R02用于需要高性能、高可靠性的电力转换和电机控制系统中。

VBE14R02参数

参数
通道数量 1
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5Ω(mΩ)
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 400V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE14R02厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE14R02数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE14R02 VBE14R02数据手册

VBE14R02封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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