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K2666-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K2666-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2666-VB

K2666-VB概述

    K2666-VB N-Channel 900V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2666-VB 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,主要应用于高电压转换及负载切换等电力电子领域。其独特的设计使其具备出色的开关特性和低导通电阻(RDS(on)),能够显著提高系统的能效并降低发热。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 额定电压 (VDS): 900V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.3Ω (VGS = 10V)
    - 门极电荷 (Qg): 最大 200nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 24nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 110nC
    - 极限电流 (IDM): 21A
    - 电气特性
    - 漏极-源极电流 (ID): 连续 3.9A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770mJ
    - 冲击恢复速率 (dV/dt): 2.0V/ns
    - 热特性
    - 最大结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散 (PD): 190W (TC = 25°C)
    - 封装与安装
    - 封装形式: TO-220AB
    - 隔离中央安装孔: 支持中心螺钉固定
    - 焊接推荐温度: 峰值300°C (10秒)

    3. 产品特点和优势


    - 动态dV/dt额定值: 高速切换能力
    - 重复雪崩额定值: 高可靠性
    - 快速开关: 适用于高频应用
    - 简易驱动要求: 易于并联
    - 符合RoHS规范: 环保设计
    - 易于并联: 可实现多芯片冗余设计

    4. 应用案例和使用建议


    K2666-VB MOSFET 在各种电力转换系统中表现出色,例如DC-DC转换器、电机驱动器、太阳能逆变器等。为了最大化其性能,建议在应用中采用散热良好的设计,确保结温不超过150°C,并且注意布线时减少杂散电感。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与大多数标准电路板兼容,但建议用户参考具体应用的布线图进行布局。
    - 支持与维护: VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: K2666-VB能否在高温环境下稳定工作?
    - A: 是的,它可以在-55°C至+150°C的工作温度范围内正常工作。需要注意的是要保证良好的散热措施以维持在安全的工作温度范围内。

    - Q: 如何最大限度地降低噪声干扰?
    - A: 通过合理布局电路板、减少杂散电感和使用屏蔽技术可以显著降低噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    K2666-VB MOSFET凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和高可靠性,在高电压转换领域表现出色。其出色的性价比和广泛的适用范围使其成为电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的应用开发者和工程师们。
    本手册中详细介绍了K2666-VB MOSFET的各项关键指标和技术细节,希望能帮助您更好地理解和利用这款优质产品。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

K2666-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2666-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2666-VB数据手册

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K2666-VB封装设计

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