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82N055-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=60V;ID =120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于各种需要高功率、高效率的电子应用领域。
供应商型号: 82N055-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 82N055-VB TO262

82N055-VB TO262概述

    82N055-VB TO262 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    82N055-VB TO262 是一款高性能的N沟道60V(D-S)MOSFET晶体管,采用先进的TrenchFET®技术制造。这款MOSFET主要用于电源管理、驱动电路及各种高效率开关应用。其卓越的电气特性和紧凑的封装使其成为许多现代电子产品中的理想选择。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏电流 (ID): 120 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 480 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 65 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 211 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 230 W (TC = 25 °C)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 °C 至 +175 °C
    - 热阻
    - 结至环境热阻 (RthJA): 40 °C/W (PCB安装)
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 0.65 °C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V (ID = 250 μA)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.5 V 至 3.5 V (ID = 250 μA)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 1 μA (VGS = 0 V, VDS = 60 V, TJ = 125 °C)
    - 通态漏电流 (ID(on)): 120 A (VGS = 10 V)
    - 通态漏源电阻 (RDS(on)): 0.006 Ω (VGS = 10 V)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供出色的低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力。
    - 低热阻封装:有效的散热设计提高了设备的工作稳定性。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车电子领域的严格要求。
    - 全面测试:所有产品均通过严格的可靠性测试,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:应用于各种开关电源中,如直流到直流转换器。
    - 电机驱动:适合用于驱动各类电机控制电路。
    - 高频应用:由于其优秀的高频响应特性,适用于高频逆变器和其他高频率开关应用。
    - 建议:为了提高系统可靠性,建议在实际应用中考虑电路的过载保护设计,并在高温环境下进行充分散热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:82N055-VB TO262可以与大多数标准电路板和电源管理系统无缝集成。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供了详细的技术文档和技术支持服务,帮助用户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作后MOSFET过热。
    - 解决方法:增加外部散热片或改进散热设计。
    - 问题2:在高速开关时出现显著损耗。
    - 解决方法:优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响。

    7. 总结和推荐


    82N055-VB TO262 MOSFET凭借其卓越的电气性能和可靠性,在多个应用领域展现了其强大的竞争力。它具有优异的导通电阻和耐用性,非常适合于需要高效率和高可靠性的电源管理和电机控制应用。我们强烈推荐这一产品给对这些特性有需求的工程师和设计师。

82N055-VB TO262参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

82N055-VB TO262厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

82N055-VB TO262数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 82N055-VB TO262 82N055-VB TO262数据手册

82N055-VB TO262封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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