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9R1K2C-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: 9R1K2C-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9R1K2C-VB TO220F

9R1K2C-VB TO220F概述


    产品简介


    本产品为一款N沟道900V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为9R1K2C-VB,采用TO-220F封装形式。该产品的主要功能是在各种电力电子系统中进行高效开关操作,广泛应用于电源管理、电机驱动、电动汽车充电等领域。其卓越的开关速度和低导通电阻使其在高频开关应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源击穿电压(VDS):900V
    - 门极阈值电压(VGS(th)):2.0 V至4.0 V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):≤100 μA(VDS=900V)

    - 动态特性
    - 输出电容(Coss):≤800 pF
    - 反向传输电容(Crss):≤490 pF
    - 总栅极电荷(Qg):200 nC

    - 静态特性
    - 栅极漏极电荷(Qgd):110 nC
    - 栅极源极电荷(Qgs):24 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):19 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):120 ns
    - 最大绝对额定值
    - 漏极-源极电压(VDS):900 V
    - 门极-源极电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):25 °C下为25 A,100 °C下为8.3 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):770 mJ
    - 最大功率耗散(PD):25 °C时为65 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 高速开关:快速开启和关闭能力使得它适用于需要高频率操作的应用场合。
    - 易于并联:由于较低的门极电荷,该MOSFET可以方便地并联使用,以增加输出电流。
    - 简单的驱动要求:对门极驱动的需求较低,便于集成到不同的电路设计中。
    - 符合RoHS标准:该产品符合欧盟的RoHS指令,确保其环保和安全使用。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET常用于电源转换器、逆变器、马达控制器以及LED驱动器等电力电子应用。对于需要高效率和高可靠性应用的设计者,这款MOSFET是一个理想选择。为了优化使用效果,建议在实际应用前详细检查电路参数,如输入电压、工作频率和散热需求。

    兼容性和支持


    该产品与其他N沟道MOSFET相比具有高度兼容性,且制造商提供了详尽的技术文档和客户支持。若需进一步技术支持或获取更多资源,可联系官方客服热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问:产品如何散热?
    - 答:建议使用散热片或热管,并确保良好的空气流通。可以通过测量MOSFET外壳温度来监控散热情况。

    - 问:如何处理门极驱动信号不稳定的问题?
    - 答:检查门极驱动电路是否有噪声干扰,必要时增加滤波电容或更换更稳定的门极驱动器。

    - 问:产品在高温环境下使用会有何影响?
    - 答:长时间处于高温环境会增加MOSFET的温升,导致性能下降甚至损坏。确保在使用过程中采取有效的冷却措施。

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道900V超级结功率MOSFET凭借其高速开关、低导通电阻、简单驱动等优点,在多种电力电子应用中表现出色。对于需要高效率和可靠性的设计者来说,这是一款值得推荐的产品。无论是在商业还是工业应用中,它的性能表现和兼容性都令人满意。

9R1K2C-VB TO220F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9R1K2C-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9R1K2C-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9R1K2C-VB TO220F 9R1K2C-VB TO220F数据手册

9R1K2C-VB TO220F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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