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IPW60R075CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IPW60R075CP-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPW60R075CP-VB

IPW60R075CP-VB概述


    产品简介


    IPW60R075CP-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道650V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换和照明系统等领域。此产品以其低栅极电荷(Qg)、低输入电容(Ciss)和高能效著称,适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等场合。此外,它还特别适合于高密度放电灯(HID)照明和荧光灯镇流器照明,以及焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源系统中的太阳能逆变器等工业应用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):最大700V,在TJ最大时。
    - 连续漏电流(ID):在TJ=150°C时为30A,在TJ=25°C时为47A。

    - 电阻参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时为0.06Ω,在25°C时。
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为273nC。
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):最大5682pF。
    - 输出电容(Coss):最大251pF。
    - 反向传输电容(Crss):最大192pF。
    - 其他参数:
    - 脉冲雪崩能量(EAS):1410mJ。
    - 最大功耗(PD):415W。
    - 极限温度范围:操作结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。

    产品特点和优势


    IPW60R075CP-VB的主要特点是其超低的栅极电荷(Qg)和快速开关能力,使得其具有低的开关损耗和传导损耗。这款MOSFET在栅极电荷方面的表现尤为出色,能够在保持高能效的同时,显著减少能耗。此外,由于采用了超级结技术,其能够实现较高的电压耐受能力,这使其在工业应用中具备了更高的可靠性。这些特点使其成为高效电源转换系统中的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电信及服务器电源供应:IPW60R075CP-VB因其高效的能量转换能力而被广泛应用于电信设备和服务器电源供应中。这类应用通常需要高功率输出以及稳定的能源供给,该产品能够满足这些要求,且在宽广的电压范围内仍能保持良好的性能。

    2. 可再生能源系统:特别是太阳能光伏逆变器,IPW60R075CP-VB可以帮助提高系统的效率,从而增加发电量。这类应用对功率转换效率有着严格的要求,而IPW60R075CP-VB恰好能够满足这一需求。
    使用建议
    - 在实际应用中,建议确保正确的热管理措施,如使用散热片或散热器,以避免因过热导致的损坏。
    - 确保在电路设计过程中考虑到寄生电感的影响,特别是在高速开关情况下,这有助于降低EMI干扰并优化性能。

    兼容性和支持


    IPW60R075CP-VB作为一款高性能的MOSFET,具备与多种设备的良好兼容性。该产品提供了一套完整的技术支持,包括详尽的技术文档、应用指南和故障排除手册。此外,VBsemi还提供了在线客服和技术支持服务,以便及时解决用户在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:设备在高温环境下运行时出现过热现象怎么办?
    - 答: 检查散热系统是否正常工作,适当增加散热措施,如增加散热片或使用外部风扇冷却。
    2. 问:产品在高负载条件下工作不稳定怎么办?
    - 答: 检查电路布局是否存在寄生电感或寄生电容问题。可以通过优化电路设计或选用更合适的滤波元件来解决。
    3. 问:发现栅极电压波动较大怎么办?
    - 答: 确保栅极驱动信号稳定,适当调整栅极电阻值以匹配所需的驱动电流。

    总结和推荐


    综上所述,IPW60R075CP-VB是一款非常适合用于高效电源转换和工业控制应用的N沟道超级结MOSFET。凭借其出色的开关特性和高能效,该产品在市场上表现出色。无论是应用于服务器电源、可再生能源还是工业控制系统,它都能提供可靠的性能。因此,强烈推荐使用这款MOSFET以提升您的系统性能。

IPW60R075CP-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 47A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPW60R075CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPW60R075CP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPW60R075CP-VB IPW60R075CP-VB数据手册

IPW60R075CP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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