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FQD3P20TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: FQD3P20TM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD3P20TM-VB

FQD3P20TM-VB概述

    FQD3P20TM P-Channel Power MOSFET

    1. 产品简介


    FQD3P20TM 是一种采用表面贴装技术(SMD)的P沟道功率MOSFET。它具备动态dv/dt额定值和重复雪崩额定值,适用于多种应用场合,如电源管理、马达驱动和开关电路。FQD3P20TM具有快速开关能力和并联操作的便利性,使其成为高性能应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - VDS(最大漏源电压):-200V
    - RDS(on)(导通电阻):1.0 Ω (VGS=-10V)
    - Qg max(最大总门电荷):29 nC
    - Qgs(门源电荷):5.4 nC
    - Qgd(门漏电荷):15 nC
    - ID(连续漏电流):-3.6 A (TC=25°C),-2.5 A (TC=100°C)
    - IDM(脉冲漏电流):-15 A
    - PDS(最大耗散功率):74 W (TC=25°C)
    - 绝对最大额定值:
    - VGS(最大栅源电压):±20 V
    - EAS(单脉冲雪崩能量):500 mJ
    - EAR(重复雪崩能量):7.4 mJ
    - 热阻:
    - RthJA(结到环境的最大热阻):62 °C/W
    - RthJC(结到管壳的最大热阻):1.7 °C/W

    3. 产品特点和优势


    FQD3P20TM 的主要特点包括:
    - 表面贴装:方便装配和自动化生产。
    - 快速开关能力:适用于高频应用。
    - 易并联操作:便于多器件并联以增加电流处理能力。
    - 高可靠性:支持重复雪崩额定值,确保长期稳定运行。
    - 低损耗:通过优化的RDS(on),减少功耗和发热。

    4. 应用案例和使用建议


    FQD3P20TM 常用于各种电力转换应用,例如直流-直流转换器、马达控制和开关电源。对于高频开关电源,可以利用其快速开关特性以降低开关损耗;在马达驱动应用中,可以利用其高电流处理能力来驱动大功率马达。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应确保电路设计中具有良好的去耦电容,以减小寄生电感。
    - 高温环境下应适当降额使用,防止因温度过高导致失效。

    5. 兼容性和支持


    FQD3P20TM 与现有多数电路板材料兼容(如FR-4或G-10)。制造商提供详细的技术文档和支持,确保客户能够顺利应用该产品。此外,还有专业的技术支持团队可帮助解决任何技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致功耗增加 | 选择合适的去耦电容以降低寄生电感,优化电路设计 |
    | 高温环境下温度保护触发 | 适当降低工作电压或增加散热措施 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQD3P20TM 是一款高性能的P沟道功率MOSFET,具有优秀的快速开关能力和可靠的操作性能。对于需要高电流处理能力和高可靠性的应用场合,FQD3P20TM 是一个非常理想的选择。无论是电力转换还是马达驱动应用,它都能展现出卓越的性能。因此,我们强烈推荐在相关应用中采用此产品。

FQD3P20TM-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 3.6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 2个P沟道
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD3P20TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD3P20TM-VB数据手册

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FQD3P20TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
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